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公开(公告)号：CN110713169B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN201911000222.2
申请日：2019-10-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。
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公开(公告)号：CN107393767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710607507.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 一种T型双悬臂梁式单刀双掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为双悬臂梁、中间锚点支撑左右各一个悬臂梁结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，可增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。
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公开(公告)号：CN107437483A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710605341.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
CPC classification number: H01H59/0009 , H01P1/22
Abstract: 一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器，该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成，衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线，微波传输线CPW的T型结和转角上方设有空气桥，第一衰减开关、第二衰减开关、衰减模块以及微波传输线CPW构成的衰减通道，第一短路开关、第二短路开关和微波传输线CPW构成的短路通道，本发明采用了一种可实用化的射频MEMS开关，开关采用直板型带通孔的上电极和悬臂梁单触点式下电极，简化了结构，提高了的可靠性，在加工工艺中易于实现,使得衰减器具有较长的寿命且易于批量化生产，很适合实际应用。
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公开(公告)号：CN111517275B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010385823.6
申请日：2020-05-09
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于牺牲层的制备方法技术领域，具体涉及一种实用化射频MEMS开关双层牺牲层的制备方法，包括下列步骤：准备晶圆；旋涂聚酰亚胺，平流并预固化；刻蚀开关锚点通孔，固化聚酰亚胺；旋涂AZ5214光刻胶；光刻、显影，保留下聚酰亚胺下凹处的AZ5214光刻胶，作为第二层牺牲层；溅射种子层；以AZ4620光刻胶作掩模，电镀开关上电极；释放牺牲层得到开关。本发明射频MEMS开关通过旋涂双层牺牲层获得了较好平整度，提升了射频MEMS开关的成品率和寿命，且射频 MEMS开关的微波性能良好，接触灵敏，可应用于各类射频开关场景中。本发明用于射频MEMS开关牺牲层的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110713169A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911000222.2
申请日：2019-10-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。
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公开(公告)号：CN107640738A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710607993.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种射频MEMS开关的封装方法，主要步骤为金属层的制作、封装帽的制作、金属键合和划片。所述封装帽本体为具有内凹腔结构的立方体结构，在封装帽本体的内凹腔壁上粘附金薄膜，可以防止微波信号以辐射的形式泄露，同时起到微波屏蔽的作用，在封装键合时，将衬底所在的晶圆放置在封装帽所在的晶圆上，两个晶圆通过对准标记相互对准，再升高加工温度，融化金属层，形成的合金键合层具有较高的键合强度，可以防止开关在划片时封装帽被划开，本发明采用的是晶圆级封装，需要通过划片将晶圆切割制成单颗组件，封装帽所在的晶圆在加工过程中进行双面光刻，便于划片，提高成品率。
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公开(公告)号：CN107640738B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710607993.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种射频MEMS开关的封装方法，主要步骤为金属层的制作、封装帽的制作、金属键合和划片。所述封装帽本体为具有内凹腔结构的立方体结构，在封装帽本体的内凹腔壁上粘附金薄膜，可以防止微波信号以辐射的形式泄露，同时起到微波屏蔽的作用，在封装键合时，将衬底所在的晶圆放置在封装帽所在的晶圆上，两个晶圆通过对准标记相互对准，再升高加工温度，融化金属层，形成的合金键合层具有较高的键合强度，可以防止开关在划片时封装帽被划开，本发明采用的是晶圆级封装，需要通过划片将晶圆切割制成单颗组件，封装帽所在的晶圆在加工过程中进行双面光刻，便于划片，提高成品率。
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公开(公告)号：CN207097753U
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201720897823.8
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器，该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成，衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线，微波传输线CPW的T型结和转角上方设有空气桥，第一衰减开关、第二衰减开关、衰减模块以及微波传输线CPW构成的衰减通道，第一短路开关、第二短路开关和微波传输线CPW构成的短路通道，本实用新型采用了一种可实用化的射频MEMS开关，开关采用直板型带通孔的上电极和悬臂梁单触点式下电极，简化了结构，提高了的可靠性，在加工工艺中易于实现,使得衰减器具有较长的寿命且易于批量化生产，很适合实际应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206931543U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720900730.6
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 一种T型双悬臂梁式单刀双掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为双悬臂梁、中间锚点支撑左右各一个悬臂梁结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，可增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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