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公开(公告)号：CN107640735A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710605343.4
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及实用化射频MEMS开关的制造方法。主要包括硅片清洗、高阻硅片表面氮化硅的生长、共面波导电镀、上电极极板电镀、铝制下拉电极的制作、牺牲层释放。采用本发明的技术方案制造的射频MEMS开关，射频MEMS开关下接触电极平整度较高具有成品率相对较高、开关寿命相对较长，插入损耗较低、隔离度较高。
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公开(公告)号：CN107393767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710607507.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 一种T型双悬臂梁式单刀双掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为双悬臂梁、中间锚点支撑左右各一个悬臂梁结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，可增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。
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公开(公告)号：CN107437483A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710605341.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
CPC classification number: H01H59/0009 , H01P1/22
Abstract: 一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器，该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成，衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线，微波传输线CPW的T型结和转角上方设有空气桥，第一衰减开关、第二衰减开关、衰减模块以及微波传输线CPW构成的衰减通道，第一短路开关、第二短路开关和微波传输线CPW构成的短路通道，本发明采用了一种可实用化的射频MEMS开关，开关采用直板型带通孔的上电极和悬臂梁单触点式下电极，简化了结构，提高了的可靠性，在加工工艺中易于实现,使得衰减器具有较长的寿命且易于批量化生产，很适合实际应用。
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公开(公告)号：CN108695579B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201810617646.2
申请日：2018-06-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，至少三个射频MEMS开关，所述射频MEMS开关包括衬底、微波传输线、驱动电极、固定锚点及上电极，所述衬底一侧面上设置所述微波传输线，并在所述微波传输线上通过固定锚点设置所述上电极，在所述上电极下方设置所述驱动电极；至少三个带通滤波器，所述上电极与所述微波传输线连接的一端上设置所述带通滤波器，并通过可调中心频率，限定所述射频MEMS开关的工作频率。本发明可实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
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公开(公告)号：CN107424875B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710607042.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 一种十字型的单刀三掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为T型直板型结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可以减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，从电学方面讲，可以增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107640735B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710605343.4
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及实用化射频MEMS开关的制造方法。主要包括硅片清洗、高阻硅片表面氮化硅的生长、共面波导电镀、上电极极板电镀、铝制下拉电极的制作、牺牲层释放。采用本发明的技术方案制造的射频MEMS开关，射频MEMS开关下接触电极平整度较高具有成品率相对较高、开关寿命相对较长，插入损耗较低、隔离度较高。
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公开(公告)号：CN107437484A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710607497.7
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 一种带有弹性梁触点的射频MEMS开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、下电极、固定锚点、上电极、释放孔、空气桥、引线组成，微波传输线、驱动电极和引线设置在衬底上，驱动电极位于上电极的下方，上电极为直板型结构，上电极通过固定锚点固定在微波传输线上，下电极采用带有双弹性梁的双触点结构，弹性梁通过固定锚点固定在微波传输线上，双弹性梁上分别设有触点，从力学性能讲，可以减小上电极在静电作用下快速下拉对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，从电学性能讲，可以增强有效接触，避免弱接触带来的开关烧蚀和粘连，本发明有效地改善了传统双触点虚接引起的可靠性问题，使开关的寿命得到较大的提高。
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公开(公告)号：CN107424875A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710607042.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 一种十字型的单刀三掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为T型直板型结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可以减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，从电学方面讲，可以增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。
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公开(公告)号：CN114758928A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210442525.5
申请日：2017-07-24
Applicant: 中北大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 一种直板型实用化射频MEMS开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、下电极、触点、上电极、固定锚点、空气桥、释放孔组成，微波传输线、驱动电极和下电极设置在衬底上，驱动电极位于上电极的下方，上电极为直板型结构，在上电极开孔，形成释放孔阵列，上电极的固定端通过固定锚点固定在微波传输线上，在下电极上设有单触点，本发明采用直板型上电极结构，具有简单实用、方便阻抗匹配的优点，在工艺加工中易于实现，适用于批量化生产，提高了开关的成品率，本发明还采用单触点结构，可以有效地改善双触点虚接引起的可靠性问题，增强了开关接触特性，减小了弱接触，避免开关烧蚀和粘连，使开关的寿命得到较大的提高。
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公开(公告)号：CN108648964B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810617803.X
申请日：2018-06-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种基于无释放孔上电极结构的射频MEMS开关，包括：衬底；微波传输线和驱动电极，微波传输线包括信号线和地线，微波传输线中部设有断口，驱动电极设置在断口处；设置在微波传输线上的上电极、下电极组件和空气桥，上电极一端与一侧的信号线连接，下电极组件与另一侧的信号线连接，上电极另一端悬空设置在驱动电极上方并延伸至下电极组件上方，空气桥连通地线；及一罩设上述各组件的封装帽。本发明有益效果在于，无需设计释放孔，具有简单实用、方便阻抗匹配、低插入损耗、高隔离度、低驱动电压的优点，适用于批量化生产，提高了开关的成品率，封装帽可以防止微波信号以辐射的形式泄露，可微波屏蔽，有助于开关微波性能的提升。
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