公开(公告)号：CN117192813A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311159502.4

申请日：2023-09-08

Applicant: 中北大学

Inventor： 李孟委 ,  李静 ,  吴倩楠 ,  马斌溢

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明属于超宽带太赫兹光开关技术领域，具体涉及一种二氧化钒超材料的超宽带太赫兹光开关及其制备方法，由单元结构在平面上按阵列形式连续拼接而成；每个所述单元结构由不同的功能层叠加组成，从上到下依次是顶层二氧化钒层、玻璃介质层和金属衬底；所述顶层二氧化钒层为图案化的圆环形二氧化钒，所述玻璃介质层和金属衬底的任意位置横截面均为相同尺寸的正方形，所述顶层二氧化钒层贴附于玻璃介质层上表面的中心，所述金属衬底贴附在玻璃介质层的下表面。该开关结构简单、小尺寸、完美对称、易于集成和加工，并且该对TE和TM波表现出极化不敏感特性。

公开(公告)号：CN118970460A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411214386.6

申请日：2024-08-31

Applicant: 中北大学

Inventor： 吴倩楠 ,  马斌溢 ,  李孟委 ,  马君利 ,  李静 ,  纪辛然 ,  贾以琳

IPC: H01Q9/04 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明属于射频微波领域，具体涉及一种V波段的SIW缝隙阵喇叭状射频天线。包括：介质基板：所述介质基板为一体设置的矩形板；微带线的一端靠近介质基板的一条短边设置，所述微带线与介质基板的长边平行；微带线远离短边的一端连接有过渡结构；所述微带线靠近介质基板的一端与天线端口连通；半开放式喇叭状SIW通孔：包括SIW上层金属壁、SIW下层金属壁、喇叭形金属通孔阵列、SIW上层金属壁和SIW下层金属壁分别印刷在介质基板的上表面和下表面；缝隙阵设置在平行金属通孔阵内侧；还包括金属层切角结构；辐射体结构：所述辐射体结构设置在天线口径面一端，用于将来自半开放式喇叭状SIW通孔的信号辐射出去。提升了天线的带宽和增益性能。

公开(公告)号：CN119651145A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411745579.4

申请日：2024-12-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 吴倩楠 ,  赵越 ,  李孟委 ,  马斌溢

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50 ,  H01Q13/10 ,  H01Q9/04 ,  H01Q21/00 ,  H01Q21/06 ,  H01Q5/335 ,  H01Q5/50

Abstract: 本发明涉及微波天线技术领域，特别涉及一种磁流馈电宽带双极化微带阵列射频天线，包括：上介质层：所述上介质层的上、下表面分别贴合有金属层；下介质层：所述下介质层的上、下表面分别贴合有金属层；所述上介质层的下表面金属层与下介质层的上表面金属层贴合；所述上介质层和下介质层可拆卸连接；空气腔：开设在上介质层和下介质层之间；若干输入端口：所述输入端口的接触端设置在上介质层的上金属表面，且输入端口的接入端延伸出下介质层的下金属面；若干耦合缝隙：开设在所述上介质层的下表面金属层和下介质层的上表面金属层上；所述辐射单元包括环谐振器，能够减少电压驻波比的波动影响，提升信号传输的稳定性。

公开(公告)号：CN116845510A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202311015663.6

申请日：2023-08-11

Applicant: 中北大学

Inventor： 吴倩楠 ,  李静 ,  李孟委 ,  马斌溢

IPC: H01P1/10 ,  H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明属于超宽带微波开关技术领域，具体涉及一种石墨烯超材料的超宽带微波开关，由单元结构在平面上按阵列形式连续拼接而成；每个所述单元结构由不同的功能层叠加组成，从上到下依次是顶层石墨烯层、聚氯乙烯PVC介质层和金属衬底；所述顶层石墨烯层为图案化的正方形石墨烯，所述聚氯乙烯PVC介质层和金属衬底的任意位置横截面均为相同尺寸的正方形，所述顶层石墨烯层贴附于聚氯乙烯PVC介质层上表面的中心，所述金属衬底贴附于聚氯乙烯PVC介质层的下表面。本发明提出的微波超材料开关的顶层为图案化刻蚀的四个相同尺寸的三角形孔和方孔的石墨烯层，结构简单、小尺寸、完美对称、易于集成和加工，并且该开关对于TE和TM波表现出极化不敏感特性。