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公开(公告)号：CN118310671B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
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公开(公告)号：CN118676036B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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公开(公告)号：CN118310671A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
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公开(公告)号：CN118676036A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411160490.1
申请日：2024-08-22
Applicant: 中北大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供一种硅的高均匀性湿法腐蚀装置及方法，属于半导体芯片制造技术领域，所述装置包括水浴锅，所述水浴锅内设有烧杯，所述烧杯内设有用于夹持硅片的聚四氟乙烯材料制作的夹具，所述夹具包括夹持件，所述夹持件包括通过螺栓连接的上夹持件和下夹持件，所述上夹持件的顶端设有上螺杆，所述夹持件的底部设有过滤板，下夹持件与过滤板之间通过中螺杆连接，过滤板的底部设有下螺杆。通过该装置及方法，能够提升湿法腐蚀均匀性、改善湿法腐蚀形貌，通过缓解腐蚀液流速，加速生成沉淀物和气体溢出，达到提高整片晶圆深硅腐蚀均匀性同时改善形貌的效果。
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