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公开(公告)号：CN110075393B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910490610.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及输液管中注射液的监测，具体为一种基于新型5G毫米波天线监测输液管注射液的低成本方法。一种利用新型5G毫米波天线监测输液管注射液的低成本方法，在输液管滴壶外壁集成柔性微型毫米波共形天线，柔性微型毫米波共形天线连接毫米波发生模块，毫米波发生模块产生脉冲信号传输至柔性微型毫米波共形天线；由天线及接收模块接收柔性微型毫米波共形天线的辐射功率Pt并由存储模块存储，利用控制器遍历寻找存储模块中描述存储的最大辐射功率，基于此可得到注射液水位高度的变化；从而控制器控制预警模块提醒医护人员，克服了输液过程中人工监控缺失的不足。
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公开(公告)号：CN110075393A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910490610.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及输液管中注射液的监测，具体为一种基于新型5G毫米波天线监测输液管注射液的低成本方法。一种利用新型5G毫米波天线监测输液管注射液的低成本方法，在输液管滴壶外壁集成柔性微型毫米波共形天线，柔性微型毫米波共形天线连接毫米波发生模块，毫米波发生模块产生脉冲信号传输至柔性微型毫米波共形天线；由天线及接收模块接收柔性微型毫米波共形天线的辐射功率Pt并由存储模块存储，利用控制器遍历寻找存储模块中描述存储的最大辐射功率，基于此可得到注射液水位高度的变化；从而控制器控制预警模块提醒医护人员，克服了输液过程中人工监控缺失的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103075954A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN108376838A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810322093.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于新型柔性超材料吸波器的制作领域，具体为基于PDMS封装技术的微流体超材料结构，其设计思路包括以下步骤：结合常规的“三明治”吸波结构，将原有的介质层替换为PDMS封装的微流体结构；在封装的微流体中选取介电常数与正切角损耗较大的液体进行填充；在封装层的两侧使用溅射工艺，将介质基板与金属图案溅射到两侧，得到柔性吸波材料。本发明中工艺流程，以PDMS封装工艺为基础，可以做到更薄的尺寸；与传统的吸波材料结构相比，PDMS封装的微流体超材料吸波器有更薄的尺寸，制作的材料也具有柔性。
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公开(公告)号：CN102661796A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210111111.0
申请日：2012-04-17
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及光电标识技术，具体是一种MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法。本发明解决了现有光电标识技术受外界环境影响大、无法满足全天候工作要求、不可用于非对称情况下的隐形标识、识别效率低、以及反射光视场范围小的问题。MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.制作红外光源阵列模块；b.FPGA控制红外光源阵列模块的辐射信号呈现为单点红外光斑信号；c.FPGA控制红外光源阵列模块的辐射信号呈现为循环切换的点阵图形信号。本发明适用于飞机降落指引、船舶引航、路线标记、桥梁标记、人员搜索和营救、近地面空间无线通信、以及军事目标的识别与跟踪等领域。
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公开(公告)号：CN103075954B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210573818.3
申请日：2012-12-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及曲面结构电场式时栅角位移传感器的制造方法，具体为一种曲面结构电场式时栅角位移传感器微纳制造方法，包括测头基体制造方法和定尺基体制造方法，本发明采用微纳工艺制造曲面结构电场式时栅角位移传感器，解决了现有曲面结构电场式时栅角位移传感器传统加工过程中制造精度低、特殊结构图形转移易失真等技术难题。该方法可以提高加工过程中的制造精度，实现利用微纳制造方法来加工大尺寸曲面结构器件，利用该方法制造的曲面结构电场式时栅角位移传感器具有精度高、测量范围大、分辨率高、可靠性好、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN102661796B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210111111.0
申请日：2012-04-17
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及光电标识技术，具体是一种MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法。本发明解决了现有光电标识技术受外界环境影响大、无法满足全天候工作要求、不可用于非对称情况下的隐形标识、识别效率低、以及反射光视场范围小的问题。MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.制作红外光源阵列模块；b.FPGA控制红外光源阵列模块的辐射信号呈现为单点红外光斑信号；c.FPGA控制红外光源阵列模块的辐射信号呈现为循环切换的点阵图形信号。本发明适用于飞机降落指引、船舶引航、路线标记、桥梁标记、人员搜索和营救、近地面空间无线通信、以及军事目标的识别与跟踪等领域。
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