公开(公告)号：CN119797274A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510293028.7

申请日：2025-03-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 李志强 ,  梁庭 ,  雷程 ,  路晶 ,  刘士琳 ,  余建刚 ,  贾平岗

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01N21/956 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。

公开(公告)号：CN118387830A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410289597.X

申请日：2024-03-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  李丰超 ,  梁庭 ,  李腾腾 ,  余建刚 ,  刘士琳

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81C99/00

Abstract: 本发明属于量子传感相关的微型原子气室领域，具体涉及一种制备实现六面通光的微型原子气室的方法；包括清洗5片晶圆；通道层玻璃晶圆打孔、抛光；第一次连接层硅晶圆阳极键合；第一次连接层硅晶圆光刻；第一次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第二次连接层硅晶圆阳极键合；第二次连接层硅晶圆光刻；第二次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第一次盖板玻璃晶圆阳极键合；通道层玻璃晶圆的方形通孔内注入碱金属；第二次盖板玻璃晶圆阳极键合；晶圆切割；切割面抛光；采用MEMS工艺制作出完全规则的六面通光的正方体结构，每一个气室尺寸都保持一致，与传统工艺实现的玻璃气室相比，具备更稳定的热传导通道，参数更稳定。