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公开(公告)号:CN114852952B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202210373580.3
申请日:2022-04-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法,属于MEMS传感器技术领域,本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环,贴片环光刻胶形成台阶,使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触,避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈,属于密闭环,避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
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公开(公告)号:CN112366270B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202011239341.6
申请日:2020-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测技术领域,公开了一种热电堆红外探测器及其制备方法,探测器包括从下至上依次设置的硅衬底、第一支撑层、吸收材料支撑层,吸收材料支撑层上设置有多个热偶条,热偶条按照“非”字形双列排布形成热偶条区域,钝化吸热层沉淀设置在热偶条上并向下延伸至吸收材料支撑层的上表面,热偶条区域边缘位置无钝化吸热层覆盖;位于首行和尾行的热偶条外侧分别设置有一个与热偶条方向平行的隔热槽,隔热槽从吸收材料支撑层向下延伸并穿透第一支撑层;钝化吸热层上设置有U型的铂电阻,铂电阻的两臂直于热偶条方向,并分别位于两列热偶条的内端上方,本发明提高了红外探测器的响应度。
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公开(公告)号:CN114852952A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210373580.3
申请日:2022-04-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法,属于MEMS传感器技术领域,本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环,贴片环光刻胶形成台阶,使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触,避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈,属于密闭环,避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
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公开(公告)号:CN112366270A
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN202011239341.6
申请日:2020-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测技术领域,公开了一种热电堆红外探测器及其制备方法,探测器包括从下至上依次设置的硅衬底、第一支撑层、吸收材料支撑层,吸收材料支撑层上设置有多个热偶条,热偶条按照“非”字形双列排布形成热偶条区域,钝化吸热层沉淀设置在热偶条上并向下延伸至吸收材料支撑层的上表面,热偶条区域边缘位置无钝化吸热层覆盖;位于首行和尾行的热偶条外侧分别设置有一个与热偶条方向平行的隔热槽,隔热槽从吸收材料支撑层向下延伸并穿透第一支撑层;钝化吸热层上设置有U型的铂电阻,铂电阻的两臂直于热偶条方向,并分别位于两列热偶条的内端上方,本发明提高了红外探测器的响应度。
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公开(公告)号:CN217586060U
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202220892227.1
申请日:2022-04-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本实用新型属于红外热电堆探测器封装技术领域,解决了外界红外辐射透过滤光片照射到热电堆薄膜时,一部分被反射、一部分透过薄膜照射到底部,仅少部分辐射被薄膜吸收,导致响应率低的问题。提供了一种可增强红外热电堆探测器红外吸收的封装结构,包括红外传感器芯片、封装管帽和封装管座,封装管座位于封装管帽底部且与封装管帽构成一封闭的中空区域,红外传感器芯片置于中空区域中且与封装管座之间通过反射底座连接,封装管帽上端对应红外传感器芯片的位置具有辐射口,辐射口通过一凸透滤光片覆盖。通过在红外传感器芯片的下方设置可以反射透过芯片膜层的红外光的反射底座,使得红外传感器芯片二次吸收红外辐射,进而增强探测器的性能。
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