公开(公告)号：CN116775121A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202210239269.X

申请日：2022-03-08

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  北京大学

Inventor： 彭星海 ,  薛志宏 ,  程圣宇 ,  曹继承 ,  何美华 ,  熊英飞 ,  朱琪豪 ,  肖元安

IPC: G06F8/77

Abstract: 本发明实施例公开了一种程序缺陷数据特征提取方法、电子设备及存储介质，所述方法包括：获取程序代码的抽象语法树信息，其中，程序代码包括缺陷程序代码和补丁程序代码；对抽象语法树信息进行规范化处理，得到规范化信息；根据规范化信息，得到数据流信息；把规范化信息转化为序列信息；根据缺陷程序代码的序列信息和补丁程序代码的序列信息，得到程序补丁信息；根据数据流信息、序列信息和程序补丁信息，提取得到缺陷程序代码的缺陷数据特征。本发明实施例的方案能够提升程序缺陷数据特征提取的效率和精准性，保证后端任务的准确率，提高用户的使用体验。

公开(公告)号：CN101192863A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710000741.X

申请日：2007-01-10

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 何美华

IPC: H04B7/005 ,  H04B7/26

Abstract: 本发明提供了一种前向补充信道发射功率上限动态设置方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据系统最优化原则将扇区发射功率划分为多个等级，并确定扇区发射功率的过载门限和前向补充信道发射功率上限波动值；以及步骤二，根据当前扇区发射功率、扇区内的数据用户数量、以及支配给新请求建立的前向补充信道的速率，动态地设置前向补充信道发射功率上限值。通过本发明，使得在系统负载较轻的条件下，使无线条件较差地点的用户的FSCH得到较多的发射功率，以保证这些用户的高速FSCH的传输质量。从而提高系统在无线条件较差时的前向吞吐量。

公开(公告)号：CN101192863B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710000741.X

申请日：2007-01-10

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 何美华

IPC: H04B7/005 ,  H04B7/26

Abstract: 本发明提供了一种前向补充信道发射功率上限动态设置方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据系统最优化原则将扇区发射功率划分为多个等级，并确定扇区发射功率的过载门限和前向补充信道发射功率上限波动值；以及步骤二，根据当前扇区发射功率、扇区内的数据用户数量、以及支配给新请求建立的前向补充信道的速率，动态地设置前向补充信道发射功率上限值。通过本发明，使得在系统负载较轻的条件下，使无线条件较差地点的用户的FSCH得到较多的发射功率，以保证这些用户的高速FSCH的传输质量。从而提高系统在无线条件较差时的前向吞吐量。

公开(公告)号：CN1028192C

公开(公告)日：1995-04-12

申请号：CN93102116.2

申请日：1993-03-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  钱钢 ,  何美华 ,  王阳元 ,  赵渭江

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L29/70

Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。

公开(公告)号：CN1077569A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：CN93102116.2

申请日：1993-03-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  钱钢 ,  何美华 ,  王阳元 ,  赵渭江

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/328 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  H01L29/70

Abstract: 本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。