公开(公告)号：CN106154680A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510175428.4

申请日：2015-04-14

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 华锋 ,  王会涛 ,  许鹏 ,  吴东平 ,  付超超 ,  王言

IPC: G02F1/21

Abstract: 本发明公开了一种硅基调制器，所述硅基调制器包括：第一重掺杂接触区和第二重掺杂接触区，以及由第一型掺杂区和第二型掺杂区组成的调制臂工作区，所述第一重掺杂接触区和第二重掺杂接触区分别位于所述调制臂工作区的左右两侧，所述第一重掺杂接触区与所述第一型掺杂区相连，所述第一型掺杂区和第二型掺杂区的接触区域形成PN结，所述调制臂工作区中的第一型掺杂区和第二型掺杂区之间形成的接触区域的面积大于第一型掺杂区和第二型掺杂区之间最小接触区域的面积。本发明还同时公开了一种制备所述硅基调制器的方法。

公开(公告)号：CN106159036A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510170914.7

申请日：2015-04-13

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 华锋 ,  张琦 ,  吴东平 ,  许鹏 ,  付超超 ,  王言

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L27/06 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明实施例公开了一种硅基光电子系统的制备方法，其特征在于，所述硅基光电子系统包括第一基底；所述方法包括：在所述第一基底的第一区域上形成光波导子区域以及调制器子区域；在所述第一基底的第二区域上形成探测器子区域；在具有所述光波导子区域、所述调制器子区域以及所述探测器子区域的第一基底上形成介质层；至少对具有所述介质层、光波导子区域以及调制器子区域对应的所述第一区域，或者至少对具有所述介质层以及所述探测器子区域对应的第二区域进行微波退火处理。

公开(公告)号：CN105141520A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201410231452.0

申请日：2014-05-28

Applicant: 中兴通讯股份有限公司

Inventor： 许鹏 ,  耿忠

IPC: H04L12/707 ,  H04L1/00

Abstract: 本发明公开了一种保护倒换方法、装置及系统。本发明的保护倒换方法在本端设备与对端设备之间的工作路径恢复正常之后还包括：当检测到本端设备和/或对端设备的待恢复定时器超时后，保持所述本端设备与所述对端设备的业务流量在本端设备与对端设备之间的保护路径上传输，打开本端设备在所述工作路径上的接收端口以及对端设备在所述工作路径上的接收端口；将所述本端设备和所述对端设备的业务流量从所述保护路径上切换到工作路径上传输；本发明的方法可以解决在WTR定时器超时后，业务流量从保护路径切换到工作路径传输的过程中由于发送端口与接收端口不同步造成的丢包问题。