公开(公告)号：CN104425334B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201310741341.X

申请日：2013-12-27

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 藤田努 ,  杉沢佳史

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明的实施方式提供能够既抑制对半导体芯片的损伤又可靠地对半导体晶片以及粘接层中的至少一方进行分割的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：保持机构，其对在贴附有半导体晶片的带的位于所述半导体晶片的周围的空白部分所贴附的环进行保持；和工作台，其通过相对于环相对地上升从而对所述带进行扩展。工作台具有对半导体晶片的除外周区域外的中央区域进行吸附的第1吸附部。

公开(公告)号：CN106057792B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201610213415.6

申请日：2016-04-07

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 藤田努 ,  向田秀子 ,  杉沢佳史

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够容易地制造半导体装置的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：将第一支撑带贴附在半导体晶片的第一面的步骤；使所述半导体晶片单片化为多个半导体芯片的步骤；将第二支撑带沿第一方向贴附在所述多个半导体芯片的第二面的步骤；将所述第一支撑带从所述多个半导体芯片剥离的步骤；及通过使所述第二支撑带延伸来扩大所述半导体芯片之间的距离的步骤；所述第二半导体支撑带相对于第一方向的伸长而产生的标称应力与相对于第二方向的伸长而产生的标称应力之比为0.7～1.4。