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公开(公告)号：CN105102997A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380074773.8
申请日：2013-03-19
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: G01R31/34
CPC classification number: G01R29/14 , G01R15/242 , G01R31/1227 , G01R31/34 , G01R31/346
Abstract: 本发明提供一种表面电位分布测量装置(70)，其包括：激光光源(13)、具有锥面的泡克耳斯晶体(11)、反射镜、对经反射镜反射后的激光的光强进行检测的光检测器(16)、对泡克耳斯晶体(11)进行保持并移动的保持搭载部(30)、电压校正数据库、以及将与测试时输出电压相对应的输入电压确定为电场弛豫系统(3)的表面电位的运算部。泡克耳斯晶体(11)形成为横截面的大小沿着轴方向发生变化，保持搭载部(30)具有：保护泡克耳斯晶体(11)的结构的保护部(31)、为了测量电场弛豫系统(3)的表面电位而使泡克耳斯晶体(11)移动的移动部(35)、(36)、以及控制这些部件的驱动控制部(37)。
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公开(公告)号：CN108713149B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680081323.5
申请日：2016-02-08
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 一种测量测定对象的表面电位的三维表面电位分布测量系统(100)，具有：激光光源；普克尔斯晶体，具有折射率根据第1端面与第2端面之间的电位差的变化而变化的普克尔斯效应；镜，被设置成与第2端面接触；光检测器，检测与普克尔斯晶体的电位差对应的激光光束的光强度；框体(31)，保持以上部件；三维移动驱动装置(30)，能够三维地对框体(31)进行移动驱动；以及驱动控制部(50)，控制三维移动驱动装置(30)。
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公开(公告)号：CN104024874A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280057715.X
申请日：2012-11-21
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: G01R31/34
CPC classification number: G01R29/14 , G01R15/242 , G01R31/1227 , G01R31/34
Abstract: 旋转电机的电场缓和系统(3)的表面电位分布测量装置(1)中，通过使用激光器(21)与电场缓和系统(3)的表面(测试部位(L))之间的泡克耳斯晶体(23)，从而被泡克耳斯晶体(23)与测试部位(L)之间的反射镜(24)反射的激光的光强度与泡克耳斯晶体(23)的一个端面与另一个端面之间的电位差即输出电压相对应。另外，通过使用具有跟踪逆变器脉冲电压的高频分量的频带的光检测器(25)，从而即使在产生逆变器脉冲电压的情况下，也可利用光检测器(25)来检测出上述光强度。因此，表面电位分布测量装置(1)能够根据上述光强度(输出电压)来测量出设想产生逆变器脉冲电压时的电场缓和系统(3)的表面电位。
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公开(公告)号：CN109075642A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084465.7
申请日：2016-07-01
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有以下步骤：制造混在有纳米粒子的主绝缘带的带制造步骤(S10)；通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带来形成绝缘部的绕带步骤(S21)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S23)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S24)。
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公开(公告)号：CN108886284A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680084488.8
申请日：2016-07-01
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有：通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带而形成绝缘部的绕带步骤(S01)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S03)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入混匀有纳米粒子的掺有纳米粒子的含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S04)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107003349A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083793.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 使用由绝缘材料的候选材料构成的平板状且在第一面(10a)形成有多个电极孔(11)的试验片(10)的水树试验装置(5)具有：导电性的第一透过性部件(27)，设置于第一面(10a)，覆盖多个电极孔(11)，具有液体透过性；导电性的第二透过性部件(37)，设置于第一面(10a)的背面侧即第二面(10b)，夹着试验片(10)而与第一透过性部件(27)对置，具有液体透过性；第一水槽(21)，使包括被第一透过性部件(27)覆盖的范围在内的试验片(10)的第一面(10a)浸渍在第一水溶液(23)中；第二水槽(31)，使包括被第二透过性部件(37)覆盖的范围在内的试验片(10)的第二面(10b)浸渍在第二水溶液(33)中；第一电极(22)；和第二电极(32)。
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公开(公告)号：CN104169730A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013954.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 株式会社东芝
IPC: G01R31/12
CPC classification number: G01R31/343 , G01R19/0084 , G01R31/1272 , G01R31/14
Abstract: 冲击电压产生装置(3)利用规定的方波信号(34)、以及在每个周期对方波信号(34)的指示电压(Vc)进行升压后得到的高电压(Va)来产生冲击电压(Vain)。局部放电次数计算部(15)输入基于因施加冲击电压(Vain)而从测定对象物(2)产生的局部放电的检测信号(36)，且在每个周期将该检测信号(36)作为局部放电次数进行计数。施加电压信号观测电路(12)对表示施加在测定对象物(2)上的冲击电压(Vain)的施加电压信号(37)进行观测。电压值获取部(13)在局部放电次数达到规定次数以上的首个周期内，将表示来自施加电压信号观测电路(12)的施加电压信号(37)的电压的峰值(Va)作为局部放电开始电压。由此，用户能设定任意的冲击电压，且能减轻用户进行的作业。
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公开(公告)号：CN111837046B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201980009939.5
申请日：2019-02-19
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: G01R31/14
Abstract: 脉冲电压产生装置(200)具备：产生高电压的直流的高电压产生器(10)；电容元件(40)，与高电压产生器(10)并联地配置，能够蓄电至高电压状态；电力用半导体开关(50)，在高电压产生器(10)的输出侧与高电压产生器串联设置，进行来自高电压产生器(10)的输出的切断以及通电；7函数发生器(70)，将应该对试验对象施加的脉冲电压的时间变化输出；电流检测器(80)，检测输出电流；以及过电流保护电路(100)，接受来自电流检测器(80)的电流信号，以与施加周期相比足够短的采样时间间隔进行模拟/数字变换，监视输出电流的值，在判定为异常的情况下，切断从函数发生器(70)向电力用半导体开关(50)的输出。
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公开(公告)号：CN107003349B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201480083793.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 使用由绝缘材料的候选材料构成的平板状且在第一面(10a)形成有多个电极孔(11)的试验片(10)的水树试验装置(5)具有：导电性的第一透过性部件(27)，设置于第一面(10a)，覆盖多个电极孔(11)，具有液体透过性；导电性的第二透过性部件(37)，设置于第一面(10a)的背面侧即第二面(10b)，夹着试验片(10)而与第一透过性部件(27)对置，具有液体透过性；第一水槽(21)，使包括被第一透过性部件(27)覆盖的范围在内的试验片(10)的第一面(10a)浸渍在第一水溶液(23)中；第二水槽(31)，使包括被第二透过性部件(37)覆盖的范围在内的试验片(10)的第二面(10b)浸渍在第二水溶液(33)中；第一电极(22)；和第二电极(32)。
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公开(公告)号：CN109075643A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084475.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有以下步骤：制造混有纳米粒子的主绝缘片材的片材制造步骤(S12)；将主绝缘片材剪断成主绝缘带的剪断步骤(S13)；通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带来形成绝缘部的绕带步骤(S21)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S23)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S24)。
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