公开(公告)号：CN109075643A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084475.0

申请日：2016-07-01

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 武良光太郎 ,  菊田晋介 ,  津田敏宏 ,  吉满哲夫

IPC: H02K3/30 ,  H01B13/00 ,  H02K15/12

Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有以下步骤：制造混有纳米粒子的主绝缘片材的片材制造步骤(S12)；将主绝缘片材剪断成主绝缘带的剪断步骤(S13)；通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带来形成绝缘部的绕带步骤(S21)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S23)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S24)。

公开(公告)号：CN109075642A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680084465.7

申请日：2016-07-01

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 武良光太郎 ,  菊田晋介 ,  津田敏宏 ,  吉满哲夫

IPC: H02K3/30 ,  H01B13/00 ,  H02K15/12

Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有以下步骤：制造混在有纳米粒子的主绝缘带的带制造步骤(S10)；通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带来形成绝缘部的绕带步骤(S21)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S23)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S24)。

公开(公告)号：CN108886284A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680084488.8

申请日：2016-07-01

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 武良光太郎 ,  菊田晋介 ,  津田敏宏 ,  吉满哲夫

IPC: H02K3/30 ,  H01B13/00 ,  H02K15/12

CPC classification number: H01B13/00 ,  H02K3/30 ,  H02K15/12

Abstract: 本发明提供一种将绝缘对象物的外表面覆盖的绝缘结构的制造方法，其具有：通过主绝缘带在绝缘对象物的外侧进行绕带而形成绝缘部的绕带步骤(S01)；在绕带步骤后，将绕带后的绝缘对象物进行抽真空的抽真空步骤(S03)；和在抽真空步骤后，在绝缘部中压入混匀有纳米粒子的掺有纳米粒子的含浸用高分子聚合物并使其含浸的含浸步骤(S04)。