公开(公告)号：CN113990965B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202111230806.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 魏家行 ,  徐航 ,  隗兆祥 ,  付浩 ,  薛璐洁 ,  王恒德 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。

公开(公告)号：CN113990965A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111230806.6

申请日：2021-10-22

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 魏家行 ,  徐航 ,  隗兆祥 ,  付浩 ,  薛璐洁 ,  王恒德 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。