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公开(公告)号:CN118100604A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410154691.4
申请日:2024-02-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H02M1/08 , H03K17/687 , H02M1/32 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型宽禁带功率器件的双栅直驱电路,属于集成电路领域,通过第一栅极控制器件进入开关状态,第二栅极控制系统的待机状态。电路包括隔离型栅极驱动芯片、隔离型变压器、双栅宽禁带功率器件和增强型半导体器件,其中双栅宽禁带功率器件的第二栅极连接增强型半导体器件的源极,双栅宽禁带功率器件的源极连接增强型半导体器件的漏极。双栅宽禁带功率器件包括第一栅极和间隔沟槽型的第二栅极。本发明实现了耗尽型功率器件的正压直驱功能,同时充分发挥了宽禁带半导体材料的高频开关特性与高阻断耐压能力,具有高栅压工作范围,高栅极可靠性,低泄漏电流与高反向续流能力。