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公开(公告)号：CN118412375A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614549.3
申请日：2024-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种具有二维化合物插入层的氮极性GaN基高电子迁移率晶体管，包括：由下至上依次设置的衬底、氮极性缓冲层、氮极性高阻GaN层、氮极性势垒层、二维化合物插入层、氮极性GaN沟道层，以及位于沟道层相对两端及中部的源极、漏极和栅极，其中二维化合物插入层为单一MoS2、WS2、MoSe2、WSe2化合物层或由其中的两种或两种以上化合物层交替叠加组成的异质结构。本发明可以极大地缓解甚至消除背势垒层和沟道层之间的晶格失配，使得制备异质结时能够突破晶格匹配程度的限制，有利于提升GaN沟道层的晶体质量，使得氮极性GaN基HEMT的使用寿命得到提高，有利于提高氮极性GaN基高电子迁移率晶体管的响应度。
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