公开(公告)号：CN109411614B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201811257574.1

申请日：2018-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 李晨 ,  戴海涛 ,  许虞俊 ,  赖良德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，特别涉及一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，包括不同掺杂比例系数的钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)的制备方法；有机无机复合型钙钛矿发光二极管从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、有机无机复合型钙钛矿发光层、电子传输层、Al和LiF的复合电极；有机无机复合型钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)是以不同摩尔比例的FABr和MABr的混合溶液为原料制得；本发明的有机无机复合型钙钛矿纳米晶体的制备方法简单，成本低廉，制得的钙钛矿发光二极管器件具有很高的光电转换效率，能够有效的改善钙钛矿发光二极管器件性能。

公开(公告)号：CN109411614A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811257574.1

申请日：2018-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 李晨 ,  戴海涛 ,  许虞俊 ,  赖良德

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，特别涉及一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，包括不同掺杂比例系数的钙钛矿纳米晶体(FA1-xMAxPbBr3)的制备方法；有机无机复合型钙钛矿发光二极管从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、有机无机复合型钙钛矿发光层、电子传输层、Al和LiF的复合电极；有机无机复合型钙钛矿纳米晶体(FA1-xMAxPbBr3)是以不同摩尔比例的FABr和MABr的混合溶液为原料制得；本发明的有机无机复合型钙钛矿纳米晶体的制备方法简单，成本低廉，制得的钙钛矿发光二极管器件具有很高的光电转换效率，能够有效的改善钙钛矿发光二极管器件性能。