公开(公告)号：CN114975622B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202210617969.8

申请日：2022-06-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  娄智逸 ,  田勇 ,  胡国华 ,  崔一平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层；在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层；在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优，可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。

公开(公告)号：CN114975622A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210617969.8

申请日：2022-06-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  娄智逸 ,  田勇 ,  胡国华 ,  崔一平

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层；在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层；在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优，可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。