公开(公告)号：CN115400767B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211053278.6

申请日：2022-08-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 王明亮 ,  王茹 ,  徐春祥 ,  石增良

IPC: B01J27/04 ,  B01J23/06 ,  B01J35/51 ,  B01J35/39 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种硫化铟锌微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂、制备方法及应用，所述复合光催化剂的载体为硫化铟锌ZnIn2S4，其表面附着ZnO纳米颗粒；制备方法为先合成ZnIn2S4微米球花，再以ZnIn2S4微米球花、Zn(OAc)2、NaOH为原料，通过水热沉积得到光催化剂前驱体，经过退火处理得到ZnIn2S4微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂；本发明通过将ZnO负载在ZnIn2S4表面，形成了具有Z型能带排布的异质结，提高光生载流子分离效率的同时，又保留了最高的氧化还原电位，反应分解的能力增强，提高催化剂在降解四环素类抗生素的效率。

公开(公告)号：CN114015990B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202111190422.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  董秀秀 ,  王茹 ,  石增良

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用。属于纳米光电功能材料领域，具体步骤：1、将预处理后的导电基底置于磁控溅射仪中，采用氧化锌靶材在高纯氧气和高纯氩气的混合气体中溅射得到氧化锌种子层；2、然后将其加入到醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液中，水热合成制备得到氧化锌纳米线阵列；3、随后将所得产物经洗涤、干燥后进行等离子体纳米金溅射；得到金‑氧化锌纳米线阵列；4、最后将金包裹的氧化锌纳米线阵列(金‑氧化锌纳米线阵列)置于磁控溅射仪，进行氧化镍的再修饰，最终得到氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列。本发明的氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列具有形貌可控、光电协同、可重复性好等特点。

公开(公告)号：CN115400767A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211053278.6

申请日：2022-08-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 王明亮 ,  王茹 ,  徐春祥 ,  石增良

IPC: B01J27/04 ,  B01J23/06 ,  B01J35/08 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种硫化铟锌微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂、制备方法及应用，所述复合光催化剂的载体为硫化铟锌ZnIn2S4，其表面附着ZnO纳米颗粒；制备方法为先合成ZnIn2S4微米球花，再以ZnIn2S4微米球花、Zn(OAc)2、NaOH为原料，通过水热沉积得到光催化剂前驱体，经过退火处理得到ZnIn2S4微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂；本发明通过将ZnO负载在ZnIn2S4表面，形成了具有Z型能带排布的异质结，提高光生载流子分离效率的同时，又保留了最高的氧化还原电位，反应分解的能力增强，提高催化剂在降解四环素类抗生素的效率。

公开(公告)号：CN114015990A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111190422.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  董秀秀 ,  王茹 ,  石增良

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用。属于纳米光电功能材料领域，具体步骤：1、将预处理后的导电基底置于磁控溅射仪中，采用氧化锌靶材在高纯氧气和高纯氩气的混合气体中溅射得到氧化锌种子层；2、然后将其加入到醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液中，水热合成制备得到氧化锌纳米线阵列；3、随后将所得产物经洗涤、干燥后进行等离子体纳米金溅射；得到金‑氧化锌纳米线阵列；4、最后将金包裹的氧化锌纳米线阵列(金‑氧化锌纳米线阵列)置于磁控溅射仪，进行氧化镍的再修饰，最终得到氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列。本发明的氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列具有形貌可控、光电协同、可重复性好等特点。

公开(公告)号：CN115513329A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211344661.7

申请日：2022-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  谢小雨 ,  王茹 ,  石增良

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种近紫外‑可见光高灵敏响应的光探测器，所述光探测器以ZnO/Se核壳纳米棒阵列作为光电转换结构，每根所述ZnO纳米棒外均包裹有Se壳层。本发明还公开了上述近紫外‑可见光高灵敏响应的光探测器的制备方法，具体为：将蓝宝石衬底超声清洗后吹干，作为生长基底；通过磁控溅射法在蓝宝石衬底上沉积ZnO种子层；通过氧等离子体刻蚀ZnO种子层，刻蚀后通过高温气相沉积法在刻蚀后的ZnO种子层上生长ZnO纳米棒阵列；通过磁控溅射法在ZnO纳米棒外溅射一层Se壳层，在蓝宝石衬底上得到ZnO/Se核壳纳米棒阵列；在ZnO/Se核壳纳米棒阵列的两端焊接上电极，得到光探测器。

公开(公告)号：CN112563881A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011361347.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  王茹 ,  石增良 ,  邱腾

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/04 ,  H01S5/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO/Al荷壳纳米线的等离激元激光器及其制备方法，等离激元激光器包括单根ZnO纳米线、Al壳层膜；制备方法包括如下步骤：在Si衬底上用气相沉积法生长ZnO纳米线阵列；用射频磁控溅射法在ZnO纳米线阵列上溅射Al壳层膜；将ZnO/Al纳米阵列放置在无水乙醇中进行超声，取超声后的溶液滴加在干净的石英片上进行烘干，便形成分散性好的等离激元激光器。本发明通过简单的气相沉积方法和射频磁控溅射方法，优化溅射时间，可在ZnO纳米线阵列上生长不同厚度、表面光滑均一的Al壳层膜，制备的ZnO/Al核壳纳米，在325nm飞秒激光器泵浦下，可以在突破衍射极限的条件下，实现了自发辐射因子达到0.14的良好紫外激光特性。

公开(公告)号：CN112563881B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202011361347.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  王茹 ,  石增良 ,  邱腾

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/04 ,  H01S5/30 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO/Al核壳纳米线的等离激元激光器及其制备方法，等离激元激光器包括单根ZnO纳米线、Al壳层膜；制备方法包括如下步骤：在Si衬底上用气相沉积法生长ZnO纳米线阵列；用射频磁控溅射法在ZnO纳米线阵列上溅射Al壳层膜；将ZnO/Al纳米阵列放置在无水乙醇中进行超声，取超声后的溶液滴加在干净的石英片上进行烘干，便形成分散性好的等离激元激光器。本发明通过简单的气相沉积方法和射频磁控溅射方法，优化溅射时间，可在ZnO纳米线阵列上生长不同厚度、表面光滑均一的Al壳层膜，制备的ZnO/Al核壳纳米，在325nm飞秒激光器泵浦下，可以在突破衍射极限的条件下，实现了自发辐射因子达到0.14的良好紫外激光特性。