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公开(公告)号：CN110460270B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910674440.8
申请日：2019-07-24
Applicant: 东南大学盐城新能源汽车研究院
Abstract: 本发明公开了一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入方法，首先在有位置传感器控制的不同负载情况下，分别在d轴与q轴中注入高频方波电压，通过高频响应电流提取到交叉饱和电感分量，实现对交叉饱和电感的测量；然后在无位置传感器控制中对由交叉饱和电感导致的转子位置估计偏差进行补偿。本发明通过有位置控制时对不同负载情况下交叉饱和电感进行测量，其中，通过交叉饱和相位角对交叉饱和电感进行间接测量；在无位置控制中对由交叉饱和电感引起的转子位置估计偏差进行补偿，可提高转子位置估计精度，从而提高无位置传感器控制系统的性能，并且本发明提出的方法对不同形式的电机具有通用性。
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公开(公告)号：CN110022106B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910356133.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高频信号注入的永磁同步电机无位置传感器控制方法。由于内嵌式永磁同步电机磁阻转矩的存在，在采用基于传统的高频脉振电压信号注入的无位置传感器算法时，将产生电磁转矩高频脉动，尤其在非id=0控制方法时，电磁转矩高频脉动更加明显。本发明在分配注入的d轴和q轴高频电压分量时，以电磁转矩高频脉动最小为原则，根据转矩公式得到最优高频电流角和最优高频电压角，选择最合适的高频电压注入方向；在解算转子位置估计值时，控制响应出的高频电流分量在最优高频电流角的正交位置处为0，使转子位置估计值误差为0，从而得到准确的转子位置估计值。本发明能有效减少高频信号注入带来的电磁转矩高频脉动，从而提高无位置传感器控制系统的性能。
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公开(公告)号：CN110460270A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910674440.8
申请日：2019-07-24
Applicant: 东南大学盐城新能源汽车研究院
Abstract: 本发明公开了一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法，首先在有位置传感器控制的不同负载情况下，分别在d轴与q轴中注入高频方波电压，通过高频响应电流提取到交叉饱和电感分量，实现对交叉饱和电感的测量；然后在无位置传感器控制中对由交叉饱和电感导致的转子位置估计偏差进行补偿。本发明通过有位置控制时对不同负载情况下交叉饱和电感进行测量，其中，通过交叉饱和相位角对交叉饱和电感进行间接测量；在无位置控制中对由交叉饱和电感引起的转子位置估计偏差进行补偿，可提高转子位置估计精度，从而提高无位置传感器控制系统的性能，并且本发明提出的方法对不同形式的电机具有通用性。
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公开(公告)号：CN110022106A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910356133.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高频信号注入的永磁同步电机无位置传感器控制方法。由于内嵌式永磁同步电机磁阻转矩的存在，在采用基于传统的高频脉振电压信号注入的无位置传感器算法时，将产生电磁转矩高频脉动，尤其在非id=0控制方法时，电磁转矩高频脉动更加明显。本发明在分配注入的d轴和q轴高频电压分量时，以电磁转矩高频脉动最小为原则，根据转矩公式得到最优高频电流角和最优高频电压角，选择最合适的高频电压注入方向；在解算转子位置估计值时，控制响应出的高频电流分量在最优高频电流角的正交位置处为0，使转子位置估计值误差为0，从而得到准确的转子位置估计值。本发明能有效减少高频信号注入带来的电磁转矩高频脉动，从而提高无位置传感器控制系统的性能。
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