一种考虑交叉饱和电感的无位置传感器控制方法

    公开(公告)号:CN110460270B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201910674440.8

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入方法,首先在有位置传感器控制的不同负载情况下,分别在d轴与q轴中注入高频方波电压,通过高频响应电流提取到交叉饱和电感分量,实现对交叉饱和电感的测量;然后在无位置传感器控制中对由交叉饱和电感导致的转子位置估计偏差进行补偿。本发明通过有位置控制时对不同负载情况下交叉饱和电感进行测量,其中,通过交叉饱和相位角对交叉饱和电感进行间接测量;在无位置控制中对由交叉饱和电感引起的转子位置估计偏差进行补偿,可提高转子位置估计精度,从而提高无位置传感器控制系统的性能,并且本发明提出的方法对不同形式的电机具有通用性。

    一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法

    公开(公告)号:CN110460270A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910674440.8

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法,首先在有位置传感器控制的不同负载情况下,分别在d轴与q轴中注入高频方波电压,通过高频响应电流提取到交叉饱和电感分量,实现对交叉饱和电感的测量;然后在无位置传感器控制中对由交叉饱和电感导致的转子位置估计偏差进行补偿。本发明通过有位置控制时对不同负载情况下交叉饱和电感进行测量,其中,通过交叉饱和相位角对交叉饱和电感进行间接测量;在无位置控制中对由交叉饱和电感引起的转子位置估计偏差进行补偿,可提高转子位置估计精度,从而提高无位置传感器控制系统的性能,并且本发明提出的方法对不同形式的电机具有通用性。

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