公开(公告)号：CN113113495A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110389306.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  卢丽 ,  殷智博 ,  桑远昌 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明是一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、第一P型源区(13A)、第一P型源区(13B)和沟槽多晶硅栅极(8C)，所述沟槽多晶硅栅极(8C)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极(8C)的槽底延伸至高压N型区(2)，在N型源区(12)、第一P型源区(13A)和第二P型源区(13B)上分别设有第一源极金属接触(9A)、第二源极金属接触(9B)。本发明结构与传统LDMOS器件相比，可以实现在相同击穿电压下，更低的特征导通电阻。

公开(公告)号：CN113113495B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110389306.0

申请日：2021-04-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  卢丽 ,  殷智博 ,  桑远昌 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明是一种具有交错槽栅结构的横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、第一P型源区(13A)、第一P型源区(13B)和沟槽多晶硅栅极(8C)，所述沟槽多晶硅栅极(8C)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极(8C)的槽底延伸至高压N型区(2)，在N型源区(12)、第一P型源区(13A)和第二P型源区(13B)上分别设有第一源极金属接触(9A)、第二源极金属接触(9B)。本发明结构与传统LDMOS器件相比，可以实现在相同击穿电压下，更低的特征导通电阻。