公开(公告)号：CN119378308A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411420851.1

申请日：2024-10-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘旭 ,  冯肖敖堃 ,  蒋汉闻 ,  朱梦凡 ,  丁昌 ,  杨刚力 ,  常柳 ,  李力一

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装键合中凸点成型的仿真分析方法，属于芯片集成领域。通过建立单个凸点倒装键合的三维有限元模型；对三维有限元模型进行有限元划分，得到多个网格；根据键合工艺参数设定键合压力、键合时间、键合温度，生成多个网格对应的函数图像及系统应力分布，得到凸点的仿真分析结果。由此，本发明可以对键合工艺的多个参数同步进行更全面的分析及规律总结，仿真的可重复性也极大地节约了人力、时间成本，提高了精度。

公开(公告)号：CN119361425A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411510070.1

申请日：2024-10-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 李力一 ,  于道江

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种高深宽比结构的硅深刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一，在硅片上曝光出需要的结构平面图案；步骤二，在部分覆盖光刻胶的硅衬底上方沉积设定厚度的金属催化剂；步骤三，在步骤二制备的金属催化剂基础上，制备金属催化剂多孔形貌；步骤四，将硅片浸没在由设定比例组分的氧化剂‑氢氟酸混合制成的刻蚀溶液中进行刻蚀，得到高深宽比的硅孔，所述硅孔包括沟道、洞，实现深硅刻蚀。本发明的方法通过精确调控金属催化剂微纳尺度形貌，并合理使用对应的刻蚀溶液，从而大规模制备光滑平整均匀的高深宽比结构。