公开(公告)号：CN102122119A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110065443.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 施立立 ,  周再发 ,  黄庆安 ,  李伟华

IPC: G03F7/20 ,  G06F17/50

Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法是一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法，在保证误差不大于10％的前提下，改善了传统快速推进算法对存储空间的要求，这对于实现MEMS和IC中三维光刻过程的高精度模拟具有实用意义，a.将速度值与时间值按照科学技术法的格式压缩入同一矩阵，网格点对应NarrowBand中的位置和状态值则压缩入另一个矩阵；b.根据物理、化学模型计算出的光刻胶刻蚀反应速率矩阵与压缩后的时间速度数据矩阵占用同一空间；满足以上两个条件的快速推进算法即该视为用于光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法。

公开(公告)号：CN103064261B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201210538668.2

申请日：2012-12-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 周再发 ,  施立立 ,  黄庆安 ,  李伟华 ,  张恒

IPC: G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G03F7/20 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。

公开(公告)号：CN103064261A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210538668.2

申请日：2012-12-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 周再发 ,  施立立 ,  黄庆安 ,  李伟华 ,  张恒

IPC: G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009 ,  G03F7/20 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。