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公开(公告)号:CN111233055A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010036213.5
申请日:2020-01-14
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/186 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供一种首先利用化学气相沉积法在泡沫镍NF表面生长三维3D石墨烯3DG/NF,再利用电化学沉积法在3DG/NF上生长二硫化三镍,制备Ni3S2/3DG/NF复合电极材料的方法。该工艺将石墨烯导电性能好和Ni3S2比电容高的优良性质结合起来,通过CVD法可以制备得到表面缺陷更少的3D3DG,而通过电沉积法生长Ni3S2不仅可以使电极材料表面形貌更加均匀,还可以免除电极粘结剂的使用,进一步提高电极导电性,进而得到阻抗小,比电容高的电极材料。利用该工艺制备的Ni3S2/3DG/NF复合电极材料在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN110075901B
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN201910398501.2
申请日:2019-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硫掺石墨相氮化碳‑还原氧化石墨烯纳米片的制备,利用超分子自组装结合溶剂热处理,在无其他改性剂的条件下合成,主要包括以下工艺步骤:步骤一.利用氢键自组装制备超分子前驱体;步骤二.一定反应条件下焙烧前驱体制备稳定均一的石墨相氮化碳纳米片;步骤三.二甲基亚砜作为硫源和溶剂并与氧化石墨烯和氮化碳通过溶剂热处理制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片。通过优化实验条件,制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片,该样品结构稳定,光电化学性能好,在光催化产氢、二氧化碳还原以及光催化降解污染物有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN113192761A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110433457.1
申请日:2021-04-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种无碱剂制备镍钴双金属氢氧化物@石墨烯@泡沫镍复合材料的方法,属于复合材料技术领域,利用化学气相沉积法(CVD)法在泡沫镍表面快速生长石墨烯,并以石墨烯/泡沫镍为基底水热生长双金属氢氧化物,在水热合成过程中不添加任何碱剂。通过清洗泡沫镍并干燥;在一定温度和气氛下在泡沫镍表面生长石墨烯;将一定质量的六水合硝酸镍、六水合硝酸钴溶解在水中形成透明溶液;将石墨烯/泡沫镍放入上述溶液中浸润;将溶液和浸润后的石墨烯/泡沫镍放入水热反应釜中;取出反应完的石墨烯/泡沫镍清洗并真空烘干。利用该工艺制备的镍钴双金属氢氧化物/石墨烯/泡沫镍复合电极材料在能源以及电催化等领域具有一定的应用前景。
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公开(公告)号:CN110075901A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910398501.2
申请日:2019-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硫掺石墨相氮化碳-还原氧化石墨烯纳米片的制备,利用超分子自组装结合溶剂热处理,在无其他改性剂的条件下合成,主要包括以下工艺步骤:步骤一.利用氢键自组装制备超分子前驱体;步骤二.一定反应条件下焙烧前驱体制备稳定均一的石墨相氮化碳纳米片;步骤三.二甲基亚砜作为硫源和溶剂并与氧化石墨烯和氮化碳通过溶剂热处理制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片。通过优化实验条件,制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片,该样品结构稳定,光电化学性能好,在光催化产氢、二氧化碳还原以及光催化降解污染物有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN111233055B
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202010036213.5
申请日:2020-01-14
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/186 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供一种首先利用化学气相沉积法在泡沫镍NF表面生长三维3D石墨烯3DG/NF,再利用电化学沉积法在3DG/NF上生长二硫化三镍,制备Ni3S2/3DG/NF复合电极材料的方法。该工艺将石墨烯导电性能好和Ni3S2比电容高的优良性质结合起来,通过CVD法可以制备得到表面缺陷更少的3D3DG,而通过电沉积法生长Ni3S2不仅可以使电极材料表面形貌更加均匀,还可以免除电极粘结剂的使用,进一步提高电极导电性,进而得到阻抗小,比电容高的电极材料。利用该工艺制备的Ni3S2/3DG/NF复合电极材料在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN113192761B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202110433457.1
申请日:2021-04-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种无碱剂制备镍钴双金属氢氧化物@石墨烯@泡沫镍复合材料的方法,属于复合材料技术领域,利用化学气相沉积法(CVD)法在泡沫镍表面快速生长石墨烯,并以石墨烯/泡沫镍为基底水热生长双金属氢氧化物,在水热合成过程中不添加任何碱剂。通过清洗泡沫镍并干燥;在一定温度和气氛下在泡沫镍表面生长石墨烯;将一定质量的六水合硝酸镍、六水合硝酸钴溶解在水中形成透明溶液;将石墨烯/泡沫镍放入上述溶液中浸润;将溶液和浸润后的石墨烯/泡沫镍放入水热反应釜中;取出反应完的石墨烯/泡沫镍清洗并真空烘干。利用该工艺制备的镍钴双金属氢氧化物/石墨烯/泡沫镍复合电极材料在能源以及电催化等领域具有一定的应用前景。
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公开(公告)号:CN111974432A
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202010639271.7
申请日:2020-07-06
Applicant: 东南大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , B01D53/86 , B01D53/62 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种利用溶剂热处理,在无其他改性剂的条件下,合成了氧掺杂石墨相氮化碳-硫化镉复合材料的方法。主要包括以下工艺步骤:步骤一.以马弗炉煅烧三聚氰胺和草酸的混合物,制备出多孔氧掺杂石墨相氮化碳;步骤二.以乙酸镉作为镉源、硫代乙酰胺作为硫源,使用溶剂热的方法在反应釜中与氧掺杂石墨相氮化碳进行复合生成氧掺杂石墨相氮化碳/硫化镉复合材料。通过优化实验条件,制备出不同比例的复合材料,该样品结构稳定,光电化学性能好,光催化性能优异,在光催化产氢、二氧化碳还原以及光催化降解污染物有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110697803A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910836150.9
申请日:2019-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/184 , H01G11/30 , H01G11/36
Abstract: 本发明公开了一种高性能硫化镍-石墨烯复合物电极材料的制备方法,包括以下步骤:首先制备均匀稳定的氧化石墨烯悬浮液;其次通过微波快速加热含有镍盐和硫脲的氧化石墨烯混合液,然后水热处理混合物;最后收集样品并进行冷冻干燥。该工艺方法省时高效,产量高耗能低,在未添加任何改性剂和活化剂的情况下,快速制备得到了性能突出的硫化镍-石墨烯复合物电极材料,在电化学储能以及其它电子器件领域有着广阔的应用前景。
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