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公开(公告)号:CN110379636B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201910489566.8
申请日:2019-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的一种制备Zn离子掺杂Fe3O4空心球/石墨烯电极材料的方法包括以下工艺步骤:步骤一.称取GO粉体,加入到乙二醇溶剂中,超声处理至完全分散得到混合溶液A;步骤二.向上述步骤一得到的GO‑乙二醇混合溶液A中加入FeCl3·6H2O,磁力搅拌至完全溶解,后加入ZnCl2,磁力搅拌至完全溶解,得到混合溶液B;步骤三.向上述步骤二得到的混合溶液B中缓慢滴加乙醇胺试剂,继续磁力搅拌后,将所得混合溶液置于50mL反应釜中,于高温下反应;步骤四.利用强磁铁分离粉体,最后在50℃‑70℃下真空干燥,得到最终产物‑Zn离子掺杂Fe3O4空心球‑石墨烯电极材料。该工艺流程简单易操作,安全性高,适于大规模生产。具有优异的电化学储能性能,在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN109524245B
公开(公告)日:2020-09-18
申请号:CN201811381555.X
申请日:2018-11-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能镍‑钴硒化物/三维石墨烯/泡沫镍无粘结剂电极材料的制备方法,包括以下步骤:首先以CH4作为碳源,通过CVD技术制备生长有三维石墨烯的泡沫镍;再将制备好的三维石墨烯的泡沫镍浸入溶液中,通过第一次水热反应;将沉淀物收集并多次洗涤,加入硒粉和NaOH后进行第二次水热反应,最后清洗样品并在真空环境中进行干燥。通过简单的CVD方法,在泡沫镍上原位生长了一层三维石墨烯,随后在未添加其他改性剂或活化剂的情况下,通过两次水热反应,在三维石墨烯/泡沫镍上直接生长镍‑钴硒化物,制备得到了一种无粘结剂、稳定、电化学性能优异的新型电极材料,在能源领域以及其它电子器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN111233055A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010036213.5
申请日:2020-01-14
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/186 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供一种首先利用化学气相沉积法在泡沫镍NF表面生长三维3D石墨烯3DG/NF,再利用电化学沉积法在3DG/NF上生长二硫化三镍,制备Ni3S2/3DG/NF复合电极材料的方法。该工艺将石墨烯导电性能好和Ni3S2比电容高的优良性质结合起来,通过CVD法可以制备得到表面缺陷更少的3D3DG,而通过电沉积法生长Ni3S2不仅可以使电极材料表面形貌更加均匀,还可以免除电极粘结剂的使用,进一步提高电极导电性,进而得到阻抗小,比电容高的电极材料。利用该工艺制备的Ni3S2/3DG/NF复合电极材料在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN110379636A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910489566.8
申请日:2019-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的一种制备Zn离子掺杂Fe3O4空心球/石墨烯电极材料的方法包括以下工艺步骤:步骤一.称取GO粉体,加入到乙二醇溶剂中,超声处理至完全分散得到混合溶液A;步骤二.向上述步骤一得到的GO-乙二醇混合溶液A中加入FeCl3·6H2O,磁力搅拌至完全溶解,后加入ZnCl2,磁力搅拌至完全溶解,得到混合溶液B;步骤三.向上述步骤二得到的混合溶液B中缓慢滴加乙醇胺试剂,继续磁力搅拌后,将所得混合溶液置于50mL反应釜中,于高温下反应;步骤四.利用强磁铁分离粉体,最后在50℃-70℃下真空干燥,得到最终产物-Zn离子掺杂Fe3O4空心球-石墨烯电极材料。该工艺流程简单易操作,安全性高,适于大规模生产。具有优异的电化学储能性能,在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN110075901B
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN201910398501.2
申请日:2019-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硫掺石墨相氮化碳‑还原氧化石墨烯纳米片的制备,利用超分子自组装结合溶剂热处理,在无其他改性剂的条件下合成,主要包括以下工艺步骤:步骤一.利用氢键自组装制备超分子前驱体;步骤二.一定反应条件下焙烧前驱体制备稳定均一的石墨相氮化碳纳米片;步骤三.二甲基亚砜作为硫源和溶剂并与氧化石墨烯和氮化碳通过溶剂热处理制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片。通过优化实验条件,制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片,该样品结构稳定,光电化学性能好,在光催化产氢、二氧化碳还原以及光催化降解污染物有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110075861A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910406088.X
申请日:2019-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: B01J23/888 , B01J35/10
Abstract: 本发明提供一种花球状钨酸铋-石墨烯-氧化亚铜复合材料的制备方法。主要包括以下工艺步骤:步骤一.溶剂热法制备均一稳定的花球状钨酸铋粉体;步骤二.将钨酸铋粉体超声分散于含有氧化石墨烯的乙二醇溶液中;步骤三.加入Cu(NO3)2·3H2O并磁力搅拌一定时间;将所得到的混合悬浊液进行溶剂热处理。利用一锅溶剂热法实现一步合成钨酸铋-石墨烯-氧化亚铜三元复合材料,工艺流程简单,操作方便,实验条件温和,可控性好。所制得的复合材料比表面积大,可见光响应范围广,光电性能比单一钨酸铋有显著提高,在光电转换、光电传感等众多领域有广阔的应用价值。
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公开(公告)号:CN110042284A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910379805.4
申请日:2019-05-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种高强度铝合金的制备方法。利用绿色环保剪切法制备的石墨烯作为铝合金纳米增强相,能够细化铝合金晶粒,同时强化铝合金,成本较低,易于实现批量生产。主要包括以下工艺步骤:1:按配比将天然石墨,聚乙烯吡咯烷酮,胆酸钠超声分散于去离子水中;2:将步骤1中混合溶剂置于冰水混合物中,同时启动剪切机,转速为5000-15000r min-1,剪切时间1-3h;3:将步骤2中的剪切完的混合溶液静置20-30h,以使大颗粒沉降,获得分层溶液;4:将步骤3中上层液以3000-6000r min-1的速率离心处理20-60min,除去所有未剥落的石墨薄片。将上述清液经抽滤后再进行冷冻干燥,得到粉末状石墨烯;5:通过放电等离子体烧结炉将不同配比的石墨烯和(Al-1Mg)粉末烧结成高强度合金。
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公开(公告)号:CN111233055B
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202010036213.5
申请日:2020-01-14
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/186 , H01G11/30 , H01G11/36 , H01G11/24
Abstract: 本发明提供一种首先利用化学气相沉积法在泡沫镍NF表面生长三维3D石墨烯3DG/NF,再利用电化学沉积法在3DG/NF上生长二硫化三镍,制备Ni3S2/3DG/NF复合电极材料的方法。该工艺将石墨烯导电性能好和Ni3S2比电容高的优良性质结合起来,通过CVD法可以制备得到表面缺陷更少的3D3DG,而通过电沉积法生长Ni3S2不仅可以使电极材料表面形貌更加均匀,还可以免除电极粘结剂的使用,进一步提高电极导电性,进而得到阻抗小,比电容高的电极材料。利用该工艺制备的Ni3S2/3DG/NF复合电极材料在超级电容器领域具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN110697803A
公开(公告)日:2020-01-17
申请号:CN201910836150.9
申请日:2019-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: C01G53/11 , C01B32/184 , H01G11/30 , H01G11/36
Abstract: 本发明公开了一种高性能硫化镍-石墨烯复合物电极材料的制备方法,包括以下步骤:首先制备均匀稳定的氧化石墨烯悬浮液;其次通过微波快速加热含有镍盐和硫脲的氧化石墨烯混合液,然后水热处理混合物;最后收集样品并进行冷冻干燥。该工艺方法省时高效,产量高耗能低,在未添加任何改性剂和活化剂的情况下,快速制备得到了性能突出的硫化镍-石墨烯复合物电极材料,在电化学储能以及其它电子器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110075901A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910398501.2
申请日:2019-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硫掺石墨相氮化碳-还原氧化石墨烯纳米片的制备,利用超分子自组装结合溶剂热处理,在无其他改性剂的条件下合成,主要包括以下工艺步骤:步骤一.利用氢键自组装制备超分子前驱体;步骤二.一定反应条件下焙烧前驱体制备稳定均一的石墨相氮化碳纳米片;步骤三.二甲基亚砜作为硫源和溶剂并与氧化石墨烯和氮化碳通过溶剂热处理制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片。通过优化实验条件,制备出多孔硫掺石墨相氮化碳/还原氧化石墨烯纳米片,该样品结构稳定,光电化学性能好,在光催化产氢、二氧化碳还原以及光催化降解污染物有着广阔的应用前景。
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