公开(公告)号：CN105671506B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201610151195.9

申请日：2016-03-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 方峰 ,  张夜雨 ,  陈海洋 ,  张旭海 ,  周雪峰 ,  蒋建清

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，步骤为：第一步，磁控预溅射：采用磁控溅射法和双靶共溅射工艺，Ar气真空环境下，在洁净的衬底材料上，采用Ti和Cu靶进行预溅射；Cu靶与Ti靶的角度为60°～90°；第二步，磁控溅射：预溅射后，通入氧气和氮气的混合气体，真空下，控制Ti靶溅射功率为150W～250W，Cu靶溅射功率为20～50W，起辉后控制溅射气压为0.4～0.8Pa，开始磁控溅射；第三步，沉积薄膜；第四步，薄膜沉积后退火：在氧气和氮气的混合气氛中退火。能较精准控制金属掺杂量，并显著拓宽薄膜的光吸收范围。

公开(公告)号：CN105671506A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610151195.9

申请日：2016-03-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 方峰 ,  张夜雨 ,  陈海洋 ,  张旭海 ,  周雪峰 ,  蒋建清

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种铜修饰氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，步骤为：第一步，磁控预溅射：采用磁控溅射法和双靶共溅射工艺，Ar气真空环境下，在洁净的衬底材料上，采用Ti和Cu靶进行预溅射；Cu靶与Ti靶的角度为60°～90°；第二步，磁控溅射：预溅射后，通入氧气和氮气的混合气体，真空下，控制Ti靶溅射功率为150W～250W，Cu靶溅射功率为20～50W，起辉后控制溅射气压为0.4～0.8Pa，开始磁控溅射；第三步，沉积薄膜；第四步，薄膜沉积后退火：在氧气和氮气的混合气氛中退火。能较精准控制金属掺杂量，并显著拓宽薄膜的光吸收范围。