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公开(公告)号：CN116388425A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310359742.2
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种同极非对称磁路型永磁记忆电机，涉及永磁记忆电机技术领域。本发明包括：定子，所述定子上安装有电枢绕组：混合永磁转子，所述混合永磁转子转动连接在所述定子的内侧，所述混合永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心上安装有多个磁极组件，且多个磁极组件呈周向均匀布设，所述磁极组件包括呈不同磁路布设的第一混合永磁单元和呈串联磁路的第二混合永磁单元，所述第一混合永磁单元与第二混合永磁单元之间形成开口向外的夹角，且第一混合永磁单元与第二混合永磁单元交替布设在所述转子铁心的外侧。本发明通过结合串并联磁路的优势，在简化转子结构的同时进一步拓宽电机调磁范围，同时保证负载运行时永磁工作点稳定。
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公开(公告)号：CN116384115A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310361731.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种低矫顽力非线性永磁体磁路参数的快速计算方法，包括：对低矫顽力非线性永磁体进行有限元仿真计算分析；基于有限元分析结果，获取低矫顽力永磁体材料B‑H数据；基于永磁体的Bm及Hm数据，得到简化磁滞模型，基于简化磁滞模型中的回复线和磁滞回线对记忆电机永磁体进行拟合，得到分段直线拟合磁滞模型；基于磁能积守恒原理对分段直线拟合磁滞模型进行修正得出等效线性B‑H直线，通过磁路法计算验证并与有限元法结果进行对比，如果结果误差较大，进行迭代修正，得出预测记忆电机永磁体的磁路参数。本发明计算简单，准确度高，可以应用在记忆电机在线调节磁动势的精确预测中。
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公开(公告)号：CN115811193A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211606285.4
申请日：2022-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种磁极互补式混合永磁记忆电机，包括混合永磁转子，所述混合永磁转子包括转子铁心、第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体、第四永磁体及开口向外等分分布于所述转子铁心周向的U型磁障，所述第三永磁体、所述第四永磁体对称设置于U型磁障两侧，所述第一永磁体和所述第二永磁体一字型内嵌在U型磁障底部。每个U型磁障内部两侧内嵌的永磁体矫顽力相同，与底部内嵌的永磁体矫顽力不同。相邻磁障底部及两侧内嵌的永磁体矫顽力不同。相邻磁极不同矫顽力等级的永磁体形成“互补”排布。本发明通过互补式磁极结构进一步拓宽转子设计空间，兼具高转矩密度和强稳磁能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116581909A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310400138.X
申请日：2023-04-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02K1/2746 , H02K1/12 , H02K21/14 , H02K21/02
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种定转子励磁分置式混合励磁电机，包括转子，沿所述转子周向外侧均匀内嵌有永磁体；定子，所述定子包括最外侧的定子轭部，所述定子轭部的内侧固定连接有数个定子齿，所述定子齿上远离所述定子轭部的一端固定连接有周向排列的三个定子小齿，位于相邻两个所述定子齿端部最外侧的相邻两个所述定子小齿之间匝绕有励磁绕组；所述转子转动连接在所述定子的内侧。本发明中采用电励磁与永磁励磁相结合的混合励磁方式，可实现气隙磁通的灵活调节；采用交替极的设计，在保证电机转矩能力的同时减少永磁用量，为电励磁磁场提供充足的路径。此外，电励磁绕组和永磁分别设置在定子和转子上，提高了电机的空间利用率。
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公开(公告)号：CN116345747A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310400139.4
申请日：2023-04-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02K1/276
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种非对称分段内置式永磁电机，包括转子，所述转子包括转子铁心，沿所述转子铁心周向均匀布设有多个磁障组件；磁障组件包括内嵌在所述转子铁心外侧外缘的第二磁障，所述第二磁障其中一端与第一磁障靠近所述转子铁心外侧边缘的一端紧挨着，所述第一磁障与所述第三磁障其中靠近所述转子铁心中心的一端相互紧挨着，所述第一磁障与所述第三磁障之间形成一定的夹角，夹角的开口朝向所述转子铁心的外侧；所述第一磁障内嵌有第一永磁体，所述第二磁障内嵌有第二永磁体。本发明在一定永磁体用量的前提下，进一步运用磁轴偏移原理，提高转矩分量利用率，提高转矩输出能力。
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公开(公告)号：CN116404778A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310359760.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称周向排布型内置式永磁电机，涉及电机技术领域。本发明包括：定子，所述定子上安装有电枢绕组；永磁转子，所述永磁转子转动连接在所述定子的内侧，所述永磁转子的中心位置安装有转轴；所述永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心上安装有多个磁极组件，用于减小磁场偏移效应；每两个所述磁极组件设置为一组。本发明通过永磁体不对称的结构设计，进一步拓宽了转子结构设计空间，有效减少永磁体用量，并提升非对称磁场偏移效应，进一步提高电机转矩密度。
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公开(公告)号：CN116388636A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310359741.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机永磁体磁化状态在线估计方法、装置及设备，涉及永磁电机控制技术领域。本发明通过对记忆电机三相绕组产生的三次电压谐波进行检测，经过隔离放大器和信号调理电路被控制器所采集；将得到的三次电压谐波信号通过锁相环技术得到其幅值和相位，分析后得到其中由于永磁体产生的电压分量幅值；通过检测由永磁体产生的电压分量幅值即可对永磁体磁化状态进行准确估计。本发明有效解决了记忆电机永磁体磁化状态估计的问题，并且与传统方法相比，本发明采用的方法与电机驱动部分相互独立，测量电路简单易于实现，不受逆变器的非线性和绕组电阻的影响，并且不需要注入额外的信号，具有更强的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN116365946A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310455556.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 东南大学
IPC: H02P21/14
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机静止状态永磁磁链估计方法、装置及设备，涉及记忆电机技术领域。本发明包括：向记忆电机施加一个电压脉冲使其产生正向的直轴电流脉冲；测量产生的直轴电流脉冲幅值，根据施加电压脉冲的幅值、持续时间和测量得到电流脉冲幅值计算直轴电感的值；根据记忆电机永磁磁链和直轴电感之间的关系得到与计算的电感值相对应的永磁磁链大小。本发明所提出的永磁磁链估计方法解决了记忆电机在静止状态下无感应电动势难以估计永磁磁链的问题，并且在电机的直轴施加电压脉冲，不会产生转矩波动的问题。
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