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公开(公告)号：CN116345747A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310400139.4
申请日：2023-04-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02K1/276
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种非对称分段内置式永磁电机，包括转子，所述转子包括转子铁心，沿所述转子铁心周向均匀布设有多个磁障组件；磁障组件包括内嵌在所述转子铁心外侧外缘的第二磁障，所述第二磁障其中一端与第一磁障靠近所述转子铁心外侧边缘的一端紧挨着，所述第一磁障与所述第三磁障其中靠近所述转子铁心中心的一端相互紧挨着，所述第一磁障与所述第三磁障之间形成一定的夹角，夹角的开口朝向所述转子铁心的外侧；所述第一磁障内嵌有第一永磁体，所述第二磁障内嵌有第二永磁体。本发明在一定永磁体用量的前提下，进一步运用磁轴偏移原理，提高转矩分量利用率，提高转矩输出能力。
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公开(公告)号：CN116404778A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310359760.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称周向排布型内置式永磁电机，涉及电机技术领域。本发明包括：定子，所述定子上安装有电枢绕组；永磁转子，所述永磁转子转动连接在所述定子的内侧，所述永磁转子的中心位置安装有转轴；所述永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心上安装有多个磁极组件，用于减小磁场偏移效应；每两个所述磁极组件设置为一组。本发明通过永磁体不对称的结构设计，进一步拓宽了转子结构设计空间，有效减少永磁体用量，并提升非对称磁场偏移效应，进一步提高电机转矩密度。
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公开(公告)号：CN116388425A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310359742.2
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种同极非对称磁路型永磁记忆电机，涉及永磁记忆电机技术领域。本发明包括：定子，所述定子上安装有电枢绕组：混合永磁转子，所述混合永磁转子转动连接在所述定子的内侧，所述混合永磁转子包括转子铁心，所述转子铁心上安装有多个磁极组件，且多个磁极组件呈周向均匀布设，所述磁极组件包括呈不同磁路布设的第一混合永磁单元和呈串联磁路的第二混合永磁单元，所述第一混合永磁单元与第二混合永磁单元之间形成开口向外的夹角，且第一混合永磁单元与第二混合永磁单元交替布设在所述转子铁心的外侧。本发明通过结合串并联磁路的优势，在简化转子结构的同时进一步拓宽电机调磁范围，同时保证负载运行时永磁工作点稳定。
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公开(公告)号：CN116384115A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310361731.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种低矫顽力非线性永磁体磁路参数的快速计算方法，包括：对低矫顽力非线性永磁体进行有限元仿真计算分析；基于有限元分析结果，获取低矫顽力永磁体材料B‑H数据；基于永磁体的Bm及Hm数据，得到简化磁滞模型，基于简化磁滞模型中的回复线和磁滞回线对记忆电机永磁体进行拟合，得到分段直线拟合磁滞模型；基于磁能积守恒原理对分段直线拟合磁滞模型进行修正得出等效线性B‑H直线，通过磁路法计算验证并与有限元法结果进行对比，如果结果误差较大，进行迭代修正，得出预测记忆电机永磁体的磁路参数。本发明计算简单，准确度高，可以应用在记忆电机在线调节磁动势的精确预测中。
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