-
公开(公告)号：CN112607778A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011621439.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼纳米管的制备方法，以阳极氧化铝为模板，采用原子层沉积技术在阳极氧化铝模板的纳米孔表面生长厚度可控的二硫化钼；用刻蚀液刻蚀掉阳极氧化铝，得到MoS2纳米管阵列。本发明通过选用不同的孔径和高度的AAO模板以及控制ALD的循环数可以精确地调控MoS2纳米管的直径、长度以及壁厚。该方法解决了二硫化钼纳米管管径以及壁厚不可控的问题，制备的二硫化钼纳米管具有良好的可重复性以及取向一致性，可用于催化以及半导体等领域，适合大规模工业化生产。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
