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公开(公告)号：CN105606269B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510580359.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高线性度的电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层、二氧化硅层和多晶硅层；硅衬底层中设有第一空腔和四个下电极；二氧化硅层中设有多晶硅支撑层和第二空腔，第二空腔与第一空腔连通；多晶硅层包括可动敏感薄膜层、四个上电极、多晶硅锚区，每个上电极的一端通过连接杆与可动敏感薄膜层的一端面连接，每个上电极的另一端通过弹性件与多晶硅锚区连接，下电极位于连接杆的下方，且上电极靠近可动敏感薄膜层的端面和下电极远离第一空腔的端面处于同一面中。该压力传感器将纵向的位移变化转为化横向面积变化，具有高线性度，同时压力传感器的上下极板之间是非接触的，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105043606B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510405880.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括SOI硅片、单晶硅层、二氧化硅层和多晶硅层；所述的SOI硅片中设有真空密封腔；所述的二氧化硅层包括高度相等且平行布设的第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层，第一支撑层位于真空密封腔正上方区域中，第二支撑层和第三支撑层位于真空密封腔正上方区域外侧，第二支撑层位于第一支撑层和第三支撑层之间；多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层固定连接在第一支撑层和第二支撑层上，第二多晶硅层固定连接在第三支撑层上，且第一多晶硅层的一端面和第二多晶硅层的一端面相对。该传感器在性能分析时，具有更高的效率和灵敏度。同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN105222932B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510580358.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种高灵敏度压阻式压力传感器，包括硅衬底层、二氧化硅层和单晶硅层；硅衬底层设有第一空腔；二氧化硅层设有单晶硅支撑层和第二空腔；单晶硅层包括可动敏感薄膜、两根连接杆、四个单边紧固薄膜、锚区、压阻条、重掺杂区和金属引线,可动敏感薄膜位于单晶硅层中部，锚区固定连接在单晶硅支撑层上；每个单边紧固薄膜一边与锚区固定连接；两个相对的单边紧固薄膜朝向可动敏感薄膜的一边分别通过连接杆与可动敏感薄膜固定连接；压阻条和重掺杂区位于每个单边紧固薄膜靠近可动敏感薄膜的边缘中心处；金属引线与重掺杂区相连，四个压阻条相连，构成惠斯通电桥。该压力传感器具有良好的灵敏度。同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN105092113A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510580009.9
申请日：2015-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底、第一多晶硅层和第二多晶硅层；第一多晶硅层包括第一多晶硅外层和第一多晶硅内层；第一多晶硅外层位于第一多晶硅内层的外侧，且第一多晶硅外层和第一多晶硅内层之间有间隙；第二多晶硅层连接在第一多晶硅内层的上方，且第二多晶硅层、第一多晶硅内层和硅衬底之间形成空腔。该结构的压力传感器下电极引出方便。同时还公开该电容式压力传感器的制备方法，该制备方法简单易行，可靠性高。
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公开(公告)号：CN104697681A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510105497.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种带自检测装置的压阻式压力传感器，包括玻璃基板、自检测电极、硅衬底、腐蚀停止层、外延单晶硅层、压阻条、钝化层和金属引线；硅衬底中设有真空密封腔；自检测电极连接在玻璃基板上，外延单晶硅层生长在腐蚀停止层的上方；在外延单晶硅层进行磷离子轻掺杂，形成压阻条；与压阻条相连的外延单晶硅层区域进行掺杂，形成磷离子重掺杂扩散区；钝化层覆盖在外延单晶硅层表面；金属引线的下部伸入钝化层的电极引出孔中，与磷离子重掺杂扩散区形成欧姆接触；压阻条构成惠斯通电桥。该压力传感器利用静电力模拟实际检测中的压力值，能够快速实现压力值的改变，在分析传感器性能时，具有更高效率。同时还提供传感器制备方法，简单易行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105606269A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510580359.5
申请日：2015-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高线性度的电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层、二氧化硅层和多晶硅层；硅衬底层中设有第一空腔和四个下电极；二氧化硅层中设有多晶硅支撑层和第二空腔，第二空腔与第一空腔连通；多晶硅层包括可动敏感薄膜层、四个上电极、多晶硅锚区，每个上电极的一端通过连接杆与可动敏感薄膜层的一端面连接，每个上电极的另一端通过弹性件与多晶硅锚区连接，下电极位于连接杆的下方，且上电极靠近可动敏感薄膜层的端面和下电极远离第一空腔的端面处于同一面中。该压力传感器将纵向的位移变化转为化横向面积变化，具有高线性度，同时压力传感器的上下极板之间是非接触的，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105222932A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510580358.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种高灵敏度压阻式压力传感器，包括硅衬底层、二氧化硅层和单晶硅层；硅衬底层设有第一空腔；二氧化硅层设有单晶硅支撑层和第二空腔；单晶硅层包括可动敏感薄膜、两根连接杆、四个单边紧固薄膜、锚区、压阻条、重掺杂区和金属引线,可动敏感薄膜位于单晶硅层中部，锚区固定连接在单晶硅支撑层上；每个单边紧固薄膜一边与锚区固定连接；两个相对的单边紧固薄膜朝向可动敏感薄膜的一边分别通过连接杆与可动敏感薄膜固定连接；压阻条和重掺杂区位于每个单边紧固薄膜靠近可动敏感薄膜的边缘中心处；金属引线与重掺杂区相连，四个压阻条相连，构成惠斯通电桥。该压力传感器具有良好的灵敏度，同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN105043606A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405880.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种电容式压力传感器，包括SOI硅片、单晶硅层、二氧化硅层和多晶硅层；所述的SOI硅片中设有真空密封腔；所述的二氧化硅层包括高度相等且平行布设的第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层，第一支撑层位于真空密封腔正上方区域中，第二支撑层和第三支撑层位于真空密封腔正上方区域外侧，第二支撑层位于第一支撑层和第三支撑层之间；多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，第一多晶硅层固定连接在第一支撑层和第二支撑层上，第二多晶硅层固定连接在第三支撑层上，且第一多晶硅层的一端面和第二多晶硅层的一端面相对。该传感器在性能分析时，具有更高的效率和灵敏度。同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN104697681B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510105497.8
申请日：2015-03-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种带自检测装置的压阻式压力传感器，包括玻璃基板、自检测电极、硅衬底、腐蚀停止层、外延单晶硅层、压阻条、钝化层和金属引线；硅衬底中设有真空密封腔；自检测电极连接在玻璃基板上，外延单晶硅层生长在腐蚀停止层的上方；在外延单晶硅层进行磷离子轻掺杂，形成压阻条；与压阻条相连的外延单晶硅层区域进行掺杂，形成磷离子重掺杂扩散区；钝化层覆盖在外延单晶硅层表面；金属引线的下部伸入钝化层的电极引出孔中，与磷离子重掺杂扩散区形成欧姆接触；压阻条构成惠斯通电桥。该压力传感器利用静电力模拟实际检测中的压力值，能够快速实现压力值的改变，在分析传感器性能时，具有更高效率。同时还提供传感器制备方法，简单易行。
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公开(公告)号：CN105043603A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510304392.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种带自检测装置的电容式压力传感器，包括硅衬底、下电极、绝缘介质层、真空密封腔、上电极、钝化层、金属引线；在硅衬底上连接有下电极；绝缘介质层位于下电极上方；在绝缘介质层的上方设有真空密封腔；传感器的上电极位于真空密封腔上方；钝化层生长在上电极的上方；金属引线的下部伸入钝化层的电极引出孔，与上下电极接触。该电容式压力传感器利用静电力模拟实际检测中的压力值，能够快速实现压力值的改变，在分析传感器性能时，具有更高效率；同时还提供压力传感器制备方法，简单易行。
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