公开(公告)号：CN118315468A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410483918.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  胡臻智 ,  刘肇国 ,  周桓立 ,  周世杰 ,  张晓阳

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种垂直异质结超宽谱光电探测器及其制备方法，该探测器的结构自下而上分别为Si衬底层、氧化层、天线、沟道层。其中沟道层自下而上分别为Ta2NiSe5、石墨烯、MoS2。器件的制备步骤是：利用紫外光刻技术、电子束蒸镀技术、剥离等工艺制备形状特殊且具有耦合长波（太赫兹波段）能力的电极结构。通过干法转移技术，依次叠加Ta2NiSe5、石墨烯和MoS2层，最终形成了高效的垂直异质结沟道层。这种光电探测器表现出卓越的特性，如宽波段响应、高探测率、大响应度和低功耗，同时可以在常温下稳定工作，为宽谱光电探测提供了一种高效的解决方案。

公开(公告)号：CN118352420A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410445099.X

申请日：2024-04-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  周世杰 ,  刘肇国 ,  周桓立 ,  张晓阳

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H10N10/10 ,  H10N10/80 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种天线集成的光热电增强型Sb2Te太赫兹探测器及制备方法，所述探测器包含：衬底、图案化的源电极、图案化的漏电极、Sb2Te薄片、h‑BN薄片五个部分。其中Sb2Te薄片与两端电极两端与源漏电极连接，源电极为热导率较低钛金属与漏电极形成不对称电极。制备方法：通过光刻形成源、漏电极，利用蒸镀方法形成集成天线金属电极，将Sb2Te薄片转移到电极上并形成欧姆接触，再覆盖上一层h‑BN薄片作为保护层。当太赫兹波照射器件时，工作材料与不对称电极增强光热电效应驱动载流子运动，产生响应信号。本发明提出的一种天线集成的光热电增强型Sb2Te太赫兹探测器具有室温自驱动特性，灵敏性强，响应率大，易集成的特点。