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公开(公告)号：CN119370850A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411498753.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 东南大学
IPC: C01B33/023 , B33Y70/00 , B33Y10/00 , C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种高精度三维硅结构的制备方法，包括如下步骤：(1)通过软件建立待打印硅结构的3D模型并规划打印路径，使用TPL光刻胶在双光子聚合3D打印机中进行打印，得到初始POSS模型；(2)将所得模型浸泡于丙二醇甲醚醋酸酯中，除去未聚合的光刻胶，取出后再浸泡在异丙醇中，去除丙二醇甲醚醋酸酯，获得POSS模型；(3)将POSS模型置于高温空气氛围中进行烧结，以去除POSS模型中的有机成分，得到二氧化硅模型；(4)将二氧化硅模型和镁粉在高温氩气氛围中进行还原反应，将二氧化硅还原为硅，得到亚微米级精度的硅结构。
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