-
公开(公告)号:CN105511540A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201610003613.X
申请日:2016-01-04
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有极低泄露电流的带隙基准启动电路,包括高长宽比PMOS管、电流镜和NMOS开关,将高长宽比PMOS管作为电阻使用,NMOS开关与带隙基准核心电路的输入端相连,电流镜与带隙基准核心电路的输出端相连。本发明采用NMOS开关,开启速度比PMOS开关快;带隙基准电路正常工作后,NMOS开关关断,NMOS的栅源电压为负电压,从而关断效果更明显,在任何工艺角和温度下泄漏电流都在皮安级别以下,对基准源电流失配影响可以忽略,启动电路中的其它支路仍处于导通状态,但此时启动电路静态电流很小;用PMOS管电阻代替常规无源电阻,节省芯片面积。
-
-
公开(公告)号:CN105511540B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610003613.X
申请日:2016-01-04
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种具有极低泄露电流的带隙基准启动电路,包括高长宽比PMOS管、电流镜和NMOS开关,将高长宽比PMOS管作为电阻使用,NMOS开关与带隙基准核心电路的输入端相连,电流镜与带隙基准核心电路的输出端相连。本发明采用NMOS开关,开启速度比PMOS开关快;带隙基准电路正常工作后,NMOS开关关断,NMOS的栅源电压为负电压,从而关断效果更明显,在任何工艺角和温度下泄漏电流都在皮安级别以下,对基准源电流失配影响可以忽略,启动电路中的其它支路仍处于导通状态,但此时启动电路静态电流很小;用PMOS管电阻代替常规无源电阻,节省芯片面积。
-
公开(公告)号:CN105763192B
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201610068639.2
申请日:2016-02-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种适用于高速模数转换器的低延时比较器,包括两级可再生比较电路,第一级可再生比较电路包括输入电路、复位电路和第一可再生电路,第二级可再生比较电路包括比较复位电路和第二可再生电路。相对于传统可再生动态比较器和传统双尾电流动态比较器,本发明在不增加额外版图面积的前提下,改进了电路结构。经过改进的新电路结构,通过两级可再生比较电路形成正反馈,减小了比较器的延时,同时隔离了输入对管与敏感节点,减小了敏感节点对于输入端产生的回踢噪声。相比于传统双尾电流动态比较器,本案提出的两级可再生动态比较器具有延迟时间短失调误差小的特点,特别适用于高速模数转换系统。
-
公开(公告)号:CN105763192A
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201610068639.2
申请日:2016-02-01
Applicant: 东南大学
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/12
Abstract: 本发明公开了一种适用于高速模数转换器的低延时比较器,包括两级可再生比较电路,第一级可再生比较电路包括输入电路、复位电路和第一可再生电路,第二级可再生比较电路包括比较复位电路和第二可再生电路。相对于传统可再生动态比较器和传统双尾电流动态比较器,本发明在不增加额外版图面积的前提下,改进了电路结构。经过改进的新电路结构,通过两级可再生比较电路形成正反馈,减小了比较器的延时,同时隔离了输入对管与敏感节点,减小了敏感节点对于输入端产生的回踢噪声。相比于传统双尾电流动态比较器,本案提出的两级可再生动态比较器具有延迟时间短失调误差小的特点,特别适用于高速模数转换系统。
-
-
-
-