公开(公告)号：CN112410007A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011308806.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 东华理工大学

Inventor： 蔡佳玲 ,  冯佳慧 ,  冯宇 ,  李爽 ,  胡艳琴 ,  刘付平 ,  李嘉辉 ,  刘伟刚 ,  孔杰 ,  吴奇 ,  张峰 ,  张子敏 ,  余豪奇 ,  熊有恒 ,  何非凡 ,  吴勇进 ,  花榕 ,  陈焕文 ,  刘云海 ,  柳和生

IPC: C09K8/524 ,  C09K8/528

Abstract: 本发明涉及除垢技术领域，尤其涉及一种除垢剂及其应用。本发明提供的除垢剂中的HClO4可以氧化有机物，使有机物大分子降解成小分子，同时释放出垢物中的金属有机络合物中的金属元素；所述EDTA可以与垢物中的金属离子形成络合物，并溶于水中；所述NaF+HNO3可以溶解垢物中SiO2等含Si晶体物质，NaF需在HNO3存在的条件下才能够起到溶解含硅晶体物质的作用，并避免了直接使用HF溶解含硅晶体物质对矿层造成严重破坏的问题，较使用HF更加温和。