公开(公告)号：CN114671703A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210355171.0

申请日：2022-04-01

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  孙是昊 ,  夏乾

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/636 ,  C04B35/624 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10

Abstract: 本发明的一种碳化硅等级孔陶瓷的制备方法，属于材料技术领域。制备时，将SiC粉体、B4C粉体、CB粉体和淀粉粉体球磨混合，干燥研磨过筛；倒入溶有分散剂的水溶液中，搅拌均匀，配制混合粉体悬浮液，加入硼酸，尿素，氨水，氢氧化钾或异丙醇凝胶引发剂，搅拌均匀后，静置反应；加入流变性能调节剂，搅拌后进行高速球磨，制得用于自由直写成型技术的SiC陶瓷浆料；将SiC陶瓷浆料挤出，逐层沉积完成后，烘干去除水分，真空下高温烧结，制得碳化硅等级孔陶瓷。相应孔尺寸和孔隙率的可调控范围均远高于现有报道，且能够使得SiC陶瓷浆料具有相比于现有体系更高的粘弹性，更好的稳定性，经7天以上时间保存后，仍然能够从较细的喷嘴中高速挤出。

公开(公告)号：CN106278281B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610674207.6

申请日：2016-08-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  茹红强

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/634 ,  C22C1/10 ,  C22C1/05 ,  C22C29/14

Abstract: 一种硼化钛基复合阴极材料及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。硼化钛基复合阴极材料，由TiB2粉末、金属Mo粉末和Si复合而成；其相组成为TiB2、MoSi2、Si、Mo2B、Ti3B4和TiB55。其制备方法，包括：(1)制备TiB2‑Mo混合粉体；(2)将TiB2‑Mo混合粉体与粘结剂混合均匀，制备模压物料；(3)将模压物料模压成型，获得TiB2‑Mo素坯；(4)将TiB2‑Mo素坯作为骨架，Si作为熔渗剂，进行真空熔渗，获得硼化钛基复合阴极材料。该方法通过先将原料模压成型，再进行无压真空渗硅，制得致密度高的硼化钛基复合阴极材料，可以用于铝电解槽中；该方法步骤简单、烧结温度低，烧结过程无形变、制备成本较低，并且能生产各种形状复杂、大尺寸的产品。

公开(公告)号：CN106977235A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710223659.7

申请日：2017-04-07

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  姜岩 ,  常龙飞

IPC: C04B41/89 ,  C04B35/52

Abstract: 一种在碳材料表面制备Si‑SiC抗氧化涂层的方法，属于材料技术领域，按以下步骤进行：（1）将高密度石墨块打磨抛光并洗涤烘干，获得石墨基体；（2）将SiC、酚醛树脂和无水乙醇混合搅拌均匀，超声分散；（3）将石墨基体置于料浆浸渍，自然风干再置于100~150℃烘箱中固化，形成预涂层；（4）置于管式炉中，在氮气气氛条件下700~900℃保温裂解；（5）将硅块和裂解后试样置于石墨坩埚并通过石墨板隔开；（6）抽真空升温至1650~1850℃进行气相渗硅，随炉冷却。本发明首次采用料浆浸涂结合气相硅浸渗制备Si‑SiC抗氧化涂层，易操作、成本低、涂层厚度可控制，制备周期短；过渡层可增加涂层的抗热震性能。

公开(公告)号：CN106908503A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710135188.4

申请日：2017-03-08

Applicant: 东北大学

Inventor： 薛向欣 ,  何金桂 ,  李勇 ,  茹红强 ,  黄小卫

IPC: G01N27/333

CPC classification number: G01N27/3335

Abstract: 本发明提供一种PVC膜Ce(Ⅳ)离子选择性电极及其制备方法和应用，所述电极包括如下结构：PVC活性膜置于PVC电极管的一端，PVC电极管内添加内参比溶液，Ag/AgCl电极插入内参比溶液内作为内参比电极，PVC电极管的另一端由连接有导线的电极帽封盖。本发明还公开了上述电极的制备方法及应用，活化后的Ce(Ⅳ)离子选择性电极与饱和甘汞电极组成电化学电池，根据E‑lgC工作曲线从而测得待测溶液中Ce(Ⅳ)离子浓度。本发明具有选择性好、灵敏度高、检测速度快、结果准确、稳定性好、测量浓度范围广、操作方法简单等特点。

公开(公告)号：CN104529484B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410746075.4

申请日：2014-12-08

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  王伟 ,  李磊

IPC: C04B35/66

Abstract: 本发明公开了一种电解铝槽用免烧成SiC质耐火材料的制备方法，涉及耐火材料技术领域，依次经过高温结合基质SAA的制备、造粒与困料、模压成型、干燥固化与浸渗硅溶胶制得电解铝槽用免烧成SiC质耐火材料。模拟电解铝槽应用环境温度制度实现免烧成SiC质耐火材料的烧结，此材料在电解质(冰晶石)摩尔比为2.2、温度为960℃的条件下，经18h抗冰晶石熔液侵蚀后，体积损失率为2.27％，与高温烧成的Sialon-SiC材料相当。该方法工艺简单、可靠、节省能源、制备成本低，为电解铝槽用碳化硅耐火材料的低成本制造及生产工艺的简化提供一种新的途径。

公开(公告)号：CN104073665B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201410294077.4

申请日：2014-06-26

Applicant: 东北大学

Inventor： 岳新艳 ,  王建军 ,  何超 ,  石晓飞 ,  茹红强

IPC: C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C29/02

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，特别涉及一种WC-Co-cBN复合材料的制备方法。本发明首先按比例称取WC、金属Co粉末和cBN原料，并均匀混合，采用球磨混料，将经球磨混合好的原料在50~200℃烘箱中干燥后，再经100~300目过筛处理后待用将干燥好的原料装入模具后，置于热压烧结炉中，烧结炉以30~50℃/min速度升温至1200~1400℃，并保温5~30分钟，压力保持在20~50MPa，得到WC-Co-cBN复合材料。本发明采用热压烧结的方法，烧结温度低，烧结时间较短，即可保证cBN不相变，也可使材料有大的收缩率和高的体积密度，且热压烧结能耗小，成本低，易操作，安全系数大。

公开(公告)号：CN102976758B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210556026.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 东北大学

Inventor： 王伟 ,  代琦 ,  茹红强

IPC: C04B35/565 ,  C04B38/08 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种大孔互联SiC陶瓷的制备方法，操作步骤为：将SiC粉末和碳化硼粉末混合均匀组成SiC混合料，将SiC混合料、阳离子表面活性剂和粘结剂聚乙烯醇水溶液混合形成均匀浆料，手摇振荡或机械搅拌浆料，引入气泡；将引泡后的均匀浆料放入密闭的容器中，进行控制性减压工艺处理；膨胀后的浆料随同容器在-17℃温度下冷冻4~12h后，室温或冷冻条件下在无水乙醇或工业乙醇中萃取，然后浸入7%质量分数的酚醛树脂乙醇溶液，样品在50~120℃温度下干燥4h，在惰性气氛中，在1950~2100℃温度下保温0.5~2h完成烧结。本发明采用减压工艺使SiC陶瓷孔径从亚毫米级增加到毫米级，且生产成本低，工艺简化。

公开(公告)号：CN102936656A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210470338.4

申请日：2012-11-20

Applicant: 东北大学

Inventor： 薛向欣 ,  何金桂 ,  李勇 ,  黄小卫 ,  杨合 ,  茹红强

IPC: C22B3/24 ,  C22B59/00

CPC classification number: Y02P10/234

Abstract: 本发明属于稀土湿法冶金技术领域，具体涉及一种使用含铝吸附剂去除氟碳铈矿硫酸浸出液中氟的方法。本发明是将氢氧化铝于450～600℃焙烧2～6h，制得活性氧化铝含铝吸附剂，将氟碳铈矿硫酸浸出液稀释10～100倍，调节酸度为0.1～1.0mol·L-1，加入含铝吸附剂，加入量为0.5～10g/50ml，振荡10～60min，然后进行固液分离，得到负载氟的含铝吸附剂固体和脱氟硫酸浸出液。本发明通过除氟减少了含氟三废物的产生，大大减轻了流程对环境的污染，同时对萃取前的硫酸浸出液进行除氟，可消除氟对后续稀土的提取与分离的影响。吸附后的吸附剂可进行再生利用，大大降低了成本。

公开(公告)号：CN101555166B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910011490.4

申请日：2009-05-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  武艳君 ,  闫海乐 ,  马娅娜 ,  喻亮 ,  岳新艳 ,  房明

IPC: C04B41/87

Abstract: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

公开(公告)号：CN102464490A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010547748.5

申请日：2010-11-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 茹红强 ,  张翠萍 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  常青

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/622

Abstract: 一种碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域，按以下步骤进行：（1）将B4C粉末与粘结剂混合均匀，或将B4C混合粉体与粘结剂混合均匀，再进行过筛，选取粒度在24~60目间的颗粒作为模压物料；（2）将模压物料模压成形，干燥后获得B4C-C素坯；（3）将B4C-C素坯作为骨架，采用Si作为熔渗剂，进行真空熔渗。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的碳化硼陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化