公开(公告)号：CN102653863A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210143328.X

申请日：2012-05-10

Applicant: 东北大学

Inventor： 李建昌 ,  侯雪艳 ,  王玉磊

IPC: C23C26/00 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于半导体与器件领域，具体涉及一种Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜的制备方法。本发明方法是首先制备Ru-Li共掺杂镍溶胶，然后将Ru-Li共掺杂氧化镍溶胶在基片上进行旋转涂膜，最后在300-600℃条件下在空气中对薄膜热处理1-2h，得到Ru-Li共掺杂氧化镍薄膜。本发明制备的Ru-Li共掺杂NiO薄膜具有良好的可重复电阻开关特性，连续扫描9次均观察到开关现象；本发明仅通过掺杂制备的NiO薄膜与本征NiO薄膜相比开关比有所提高，改善了电阻存储器件的信噪比。

公开(公告)号：CN103178208A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310069288.3

申请日：2013-03-05

Applicant: 东北大学

Inventor： 李建昌 ,  徐彬 ,  王玉磊 ,  侯雪艳 ,  巴德纯

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜及其制备方法。本发明的一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜，是具有至少一层结构的金属氧化物纳米粒子薄膜、掺杂有金属元素的金属氧化物纳米粒子薄膜或者二者的复合纳米粒子薄膜，其厚度为50-1000nm，薄膜的阈值电压为1-3V，开关比为100~900，开关可重复性为至少为10次。其制备方法是首先采用溶胶凝胶法制备溶胶，然后对溶胶进行碱处理，最终得到纳米粒子并旋涂在基片上。本发明制备的应用于非挥发性存储器的纳米粒子薄膜缺陷较少、致密性好及平滑度高；纳米粒子较小、密度高且分布均匀，阻态转换稳定性较好。