公开(公告)号：CN118561325A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410617473.X

申请日：2024-05-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  白金州 ,  唐明涛 ,  吴美丽 ,  赵思凯 ,  刘文宝

IPC: C01G39/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G21/21 ,  C01G39/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点‑PbMoO4‑MoS2三元异质结构敏感材料及其制备方法与应用，敏感材料由花状MoS2、PbMoO4纳米颗粒和PbS量子点组成；其中，花状MoS2为MoS2纳米片自组装形成的多孔微米花状结构，PbMoO4纳米颗粒和PbS量子点负载于MoS2纳米片表面。本发明首次将PbS量子点、PbMoO4纳米颗粒与MoS2纳米片复合形成三元异质结；并通过水热法和化学沉积法实现PbS量子点和PbMoO4纳米颗粒高度分散，基于三元质结构敏感材料的传感器在室温25℃时对1ppm NO2展现出高灵敏度，并且展现出了极佳的气体选择性以及优异的长期稳定性。

公开(公告)号：CN118579830A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410617475.9

申请日：2024-05-17

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  白金州 ,  吴美丽 ,  唐明涛 ,  赵思凯 ,  赵强

IPC: C01G19/00 ,  C01G21/21 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/12 ,  C09K11/66 ,  C09K11/02

Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点‑SnS2异质结构敏感材料及其制备方法与应用，PbS量子点‑SnS2异质结构敏感材料由花状SnS2和PbS量子点组成；其中，花状SnS2为SnS2纳米片自组装形成的多孔微米花状结构，PbS量子点负载于SnS2纳米片表面；PbS量子点在敏感材料中的摩尔百分含量为5％～30％。本发明首次利用具有大量悬挂键的超小尺寸PbS量子点复合在具有极大比表面积、高载流子迁移速率的‑SnS2纳米片表面形成异质结；基于PbS量子点‑‑SnS2异质结构敏感材料的传感器在室温25℃时对100ppm的NH3表现出高灵敏度，良好的选择性、快速的响应时间、出色的重复性以及长期稳定性。