一种焦油基掺氮氧化石墨烯及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118954495A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410972269.X

    申请日:2024-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种焦油基掺氮氧化石墨烯及其制备方法和应用。其制备方法包括以下步骤:1)将松子壳焦油粉、纳米氧化镁和KOH按照质量比1:(6~8):(1‑2)混合均匀,制成前驱体;2)将前驱体放入管式炉内在氮气气氛下进行碳化,采用两阶段式加热,第一阶段由室温加热升至300℃保温,第二阶段升至900℃,保温后,冷却至室温;3)得到的固体产物酸洗后烘干。本发明制备的焦油基掺氮氧化石墨烯展现出了良好的石墨烯结构,比表面积大,且拥有丰富孔结构和总孔体积。同时通过HRTEM直观的观察到了薄层的石墨烯结构和石墨烯层数。并且,其还具有良好的双电层电容,是一种优异的超级电容器材料。

    一种NiCo2S4/MC的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114203457A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111393997.8

    申请日:2021-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/MC的制备方法,属于超级电容器技术领域。本发明在生物质基介孔碳表面负载NiCo2S4纳米管,既保持了多孔碳电极良好的稳定性和导电性,又可以解决双电层电容器应用中碳电极材料比电容较低的问题。本发明通过两步水热法负载Ni‑Co并硫化后在玉米秸秆基介孔碳表面得到NiCo2S4纳米管。本发明在玉米秸秆基介孔碳上负载纳米管状结构的NiCo2S4;玉米秸秆基介孔碳较大的比表面积与合适的孔隙结构能够为NiCo2S4/MC提供基底,不仅能够有效改善纳米NiCo2S4的聚集现象,还可以增强NiCo2S4/MC的导电性。合成的NiCo2S4/MC不但具有较大的比表面积和丰富的孔结构,还有较多的氧化还原反应活性位点。

    一种NiCo2S4/MC的制备方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114203457B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202111393997.8

    申请日:2021-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/MC的制备方法,属于超级电容器技术领域。本发明在生物质基介孔碳表面负载NiCo2S4纳米管,既保持了多孔碳电极良好的稳定性和导电性,又可以解决双电层电容器应用中碳电极材料比电容较低的问题。本发明通过两步水热法负载Ni‑Co并硫化后在玉米秸秆基介孔碳表面得到NiCo2S4纳米管。本发明在玉米秸秆基介孔碳上负载纳米管状结构的NiCo2S4;玉米秸秆基介孔碳较大的比表面积与合适的孔隙结构能够为NiCo2S4/MC提供基底,不仅能够有效改善纳米NiCo2S4的聚集现象,还可以增强NiCo2S4/MC的导电性。合成的NiCo2S4/MC不但具有较大的比表面积和丰富的孔结构,还有较多的氧化还原反应活性位点。

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