公开(公告)号：CN114203457A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111393997.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 东北农业大学

Inventor： 秦丽元 ,  崔振华 ,  侯志伟 ,  于鑫淼 ,  苑孟辉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/36 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/MC的制备方法，属于超级电容器技术领域。本发明在生物质基介孔碳表面负载NiCo2S4纳米管，既保持了多孔碳电极良好的稳定性和导电性，又可以解决双电层电容器应用中碳电极材料比电容较低的问题。本发明通过两步水热法负载Ni‑Co并硫化后在玉米秸秆基介孔碳表面得到NiCo2S4纳米管。本发明在玉米秸秆基介孔碳上负载纳米管状结构的NiCo2S4；玉米秸秆基介孔碳较大的比表面积与合适的孔隙结构能够为NiCo2S4/MC提供基底，不仅能够有效改善纳米NiCo2S4的聚集现象，还可以增强NiCo2S4/MC的导电性。合成的NiCo2S4/MC不但具有较大的比表面积和丰富的孔结构，还有较多的氧化还原反应活性位点。

公开(公告)号：CN114203457B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202111393997.8

申请日：2021-11-23

Applicant: 东北农业大学

Inventor： 秦丽元 ,  崔振华 ,  侯志伟 ,  于鑫淼 ,  苑孟辉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/36 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明公开了一种NiCo2S4/MC的制备方法，属于超级电容器技术领域。本发明在生物质基介孔碳表面负载NiCo2S4纳米管，既保持了多孔碳电极良好的稳定性和导电性，又可以解决双电层电容器应用中碳电极材料比电容较低的问题。本发明通过两步水热法负载Ni‑Co并硫化后在玉米秸秆基介孔碳表面得到NiCo2S4纳米管。本发明在玉米秸秆基介孔碳上负载纳米管状结构的NiCo2S4；玉米秸秆基介孔碳较大的比表面积与合适的孔隙结构能够为NiCo2S4/MC提供基底，不仅能够有效改善纳米NiCo2S4的聚集现象，还可以增强NiCo2S4/MC的导电性。合成的NiCo2S4/MC不但具有较大的比表面积和丰富的孔结构，还有较多的氧化还原反应活性位点。