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发明公开
等离子体处理装置和基片支承部审中-实审

公开(公告)号：CN115527828A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210672843.0

申请日：2022-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西辽太 , 石川聪 , 平田元气

IPC: H01J37/32 , H01J37/20

Abstract: 本发明提供能够抑制导热气体供给孔的异常放电的等离子体处理装置和基片支承部。等离子体处理装置包括等离子体处理容器和基片支承部，该基片支承部配置在等离子体处理容器内且在基座的上部具有支承面，基片支承部包括：从基座侧向支承面供给导热气体的导热气体供给孔；第一部件，其配置在导热气体供给孔内的支承面侧，由碳化硅构成；第二部件，其配置在导热气体供给孔内的第一部件的下侧，由多孔树脂构成；和第三部件，其配置在导热气体供给孔内的第二部件的下侧，由PTFE构成。

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