公开(公告)号：CN119968697A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380070418.7

申请日：2023-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  王明美 ,  张度

IPC: H01L21/311

Abstract: 本文披露了提供氮化硅的选择性蚀刻的改进的工艺和方法的实施例。更具体地，提供了循环的两步干法蚀刻工艺来选择性蚀刻形成在衬底上的氮化硅层，同时保护形成在同一衬底上的氧化层。该循环的两步干法蚀刻工艺将衬底顺序地暴露于：(1)氢等离子体以改性氮化硅层和氧化层的暴露表面以形成改性的氮化硅表面层和改性的氧化物表面层，和(2)卤素等离子体以通过去除改性的氮化硅表面层而不去除改性的氧化物表面层来选择性蚀刻氮化硅。通过在表面改性步骤(即，步骤1)期间在氧化层上产生结晶水层，从而在去除步骤(即，步骤2)期间保护氧化层免受蚀刻。

公开(公告)号：CN113632208A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080024315.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张度 ,  蔡宇浩 ,  王明美

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了一种用于相对于氮化硅选择性等离子体蚀刻氧化硅的方法。该方法包括提供含有氧化硅膜和氮化硅膜的衬底，以及通过以下方式相对于该氮化硅膜选择性蚀刻该氧化硅膜：a1)将该衬底暴露于含有碳、硫或碳和硫两者的等离子体激发的钝化气体，其中该等离子体激发的钝化气体不含氟或氢，以及b1)将该衬底暴露于含有含氟气体的等离子体激发的蚀刻气体。该方法可以进一步包括在a1)与b1)之间的额外步骤a2)：将该衬底暴露于含有氟碳气体、氢氟碳气体、氢氯碳气体、氢氯氟碳气体、或烃气体或其组合的等离子体激发的额外钝化气体。

公开(公告)号：CN117242547A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280032710.5

申请日：2022-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金允镐 ,  张度 ,  张仕昇 ,  王明美 ,  安德鲁·梅斯

IPC: H01L21/033

Abstract: 用于处理衬底的方法包括进行包括多个循环的循环工艺，其中该循环工艺包括：在等离子体处理室中，通过以下在含碳层中的凹部的侧壁上形成钝化层：将该衬底暴露于包括硼、硅或铝的第一气体，该含碳层设置在衬底上，用包括含氢气体、含氧气体或分子氮的第二气体吹扫该等离子体处理室，并将该衬底暴露于由该第二气体产生的等离子体，其中该多个循环中的每个循环使该凹部竖直地延伸到该含碳层中。

公开(公告)号：CN118613901A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019266.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美 ,  大类贵俊 ,  高桥基 ,  横井雅彦 ,  田中康基 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。

公开(公告)号：CN113785383A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080033390.6

申请日：2020-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种用于相对于氮化硅选择性蚀刻氧化硅的方法包括：将衬底暴露于第一气体，该第一气体在氧化硅膜上形成第一层并且在氮化硅膜上形成第二层，其中该第一气体含有硼、铝、或硼和铝二者；将该衬底暴露于含氮气体，该含氮气体与该第一层反应在该氧化硅膜上形成第一氮化物层，并且与该第二层反应在该氮化硅膜上形成第二氮化物层，其中该第二氮化物层的厚度大于该第一氮化物层的厚度。该方法进一步包括将该衬底暴露于蚀刻气体，该蚀刻气体蚀刻该第一氮化物层和氧化硅膜，其中该第二氮化物层保护该氮化硅膜免于被该蚀刻气体蚀刻。

公开(公告)号：CN107431011B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201680020214.2

申请日：2016-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阿洛科·兰詹 ,  索南·谢尔帕 ,  王明美

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种对衬底上的层进行蚀刻的方法包括：将衬底设置在被配置成便于蚀刻过程的等离子体处理系统中(112)；执行原子层蚀刻过程循环以对衬底的露出表面的单层进行蚀刻(114至117)；以及重复原子层蚀刻过程循环，直到达到目标深度(120)。每个过程循环从露出表面对单层进行蚀刻。原子层蚀刻过程循环依次包括：通过引入蚀刻剂在衬底的露出表面上形成包括蚀刻剂的吸附单层(114)，同时以目标是实现衬底处的蚀刻剂自由基通量大于衬底处的总离子通量的功率水平将电磁功率耦合至等离子体处理系统，该功率水平小于或等于50W(118)；对等离子体处理系统进行净化以去除任何多余的蚀刻剂(115)；通过将吸附单层暴露于气体离子以激活蚀刻剂的反应来解吸吸附单层(116)；以及再次对等离子体处理系统进行净化(117)。

公开(公告)号：CN119816930A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063391.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张度 ,  蔡宇浩 ,  横井雅彦 ,  王明美 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法，该方法包括：使蚀刻气体、O2和吸附质前体流动进入等离子体处理室中，该等离子体处理室被配置成固定包括含硅介电层和图案化掩模层的该衬底，该蚀刻气体包含氢和氟；在使该蚀刻气体、O2和该吸附质前体流动的同时在该等离子体处理室中产生等离子体，该吸附质前体被氧化以形成吸附质；以及用该等离子体对该衬底上的该含硅介电层进行图案化，其中该吸附质形成侧壁钝化层。

公开(公告)号：CN119183602A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202380040243.5

申请日：2023-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张度 ,  克里斯托夫·瓦利 ,  王明美

IPC: H01L21/311 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51

Abstract: 一种加工衬底的方法，该方法包括：将衬底装载到等离子体加工室中，该衬底具有包含氧化物的表面，该氧化物包含碱土金属；使包含CCl4的工艺气体流入等离子体加工室中；在该等离子体加工室中，通过向该等离子体加工室的源电极施加源功率，由该工艺气体形成无氟等离子体；以及将衬底暴露于无氟等离子体以蚀刻表面的氧化物。

公开(公告)号：CN107431011A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680020214.2

申请日：2016-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阿洛科·兰詹 ,  索南·谢尔帕 ,  王明美

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32963

Abstract: 一种对衬底上的层进行蚀刻的方法包括：将衬底设置在被配置成便于蚀刻过程的等离子体处理系统中(112)；执行原子层蚀刻过程循环以对衬底的露出表面的单层进行蚀刻(114至117)；以及重复原子层蚀刻过程循环，直到达到目标深度(120)。每个过程循环从露出表面对单层进行蚀刻。原子层蚀刻过程循环依次包括：通过引入蚀刻剂在衬底的露出表面上形成包括蚀刻剂的吸附单层(114)，同时以目标是实现衬底处的蚀刻剂自由基通量大于衬底处的总离子通量的功率水平将电磁功率耦合至等离子体处理系统，该功率水平小于或等于50W(118)；对等离子体处理系统进行净化以去除任何多余的蚀刻剂(115)；通过将吸附单层暴露于气体离子以激活蚀刻剂的反应来解吸吸附单层(116)；以及再次对等离子体处理系统进行净化(117)。