公开(公告)号：CN119816930A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380063391.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张度 ,  蔡宇浩 ,  横井雅彦 ,  王明美 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法，该方法包括：使蚀刻气体、O2和吸附质前体流动进入等离子体处理室中，该等离子体处理室被配置成固定包括含硅介电层和图案化掩模层的该衬底，该蚀刻气体包含氢和氟；在使该蚀刻气体、O2和该吸附质前体流动的同时在该等离子体处理室中产生等离子体，该吸附质前体被氧化以形成吸附质；以及用该等离子体对该衬底上的该含硅介电层进行图案化，其中该吸附质形成侧壁钝化层。

公开(公告)号：CN115692190A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210890018.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横井雅彦 ,  田中康基

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供提高处理量的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及系统。本公开涉及的等离子体处理方法在等离子体处理装置中执行。该等离子体处理方法包含：准备包含含硅膜以及形成在含硅膜上的含碳膜的基板的工序；将基板的温度设定在为0℃以下的第一温度的工序；通过包含氢原子以及氧原子的第一处理气体向基板供给H2O的工序；通过高频由第一处理气体生成等离子体而对含碳膜进行蚀刻的工序；将基板的温度设定为与第一温度不同的第二温度的工序；向基板供给第二处理气体的工序，第二处理气体包含含有氢以及氟的气体，或者同时包含含氢气体以及含氟气体；以及通过高频由第二处理气体生成等离子体而对含硅膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN118613901A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019266.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美 ,  大类贵俊 ,  高桥基 ,  横井雅彦 ,  田中康基 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。

公开(公告)号：CN117637528A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311031681.3

申请日：2023-08-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  田中康基 ,  永井龙 ,  横井雅彦 ,  田中一光

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹部的工序。在进行蚀刻的工序中，向基板支承部供给电偏压以从等离子体吸引离子到基板。在进行蚀刻的工序中，变更电偏压的波形周期的时长的倒数即偏压频率以及脉冲化后的电偏压的脉冲占空比中的至少一方，以维持相对于基板的离子的能量通量。