公开(公告)号：CN104380440A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380030754.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  清水隆吉

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

公开(公告)号：CN104380440B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380030754.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  清水隆吉

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。