公开(公告)号：CN104350584B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380021625.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  清水昭贵 ,  山下扶美子 ,  浦山大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。

公开(公告)号：CN104350584A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380021625.X

申请日：2013-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  清水昭贵 ,  山下扶美子 ,  浦山大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明用于适当除去在对被蚀刻膜进行蚀刻时生成的反应生成物。本发明的装置用于处理由于对被处理基体所含有的被蚀刻层进行蚀刻而沉积的反应生成物。该装置包括处理容器、隔板、等离子体源、载置台、第1处理气体供给部及第2处理气体供给部。处理容器划分出空间。隔板配置于处理容器内，将空间分隔为等离子体生成空间和基板处理空间，用于抑制离子及真空紫外光的透过。等离子体源用于在等离子体生成空间生成等离子体。载置台配置于基板处理空间，用于载置被处理基体。第1处理气体供给部用于向等离子体生成空间供给第1处理气体，该第1处理气体由于等离子体而离解，生成自由基。第2处理气体供给部用于向基板处理空间供给第2处理气体，该第2处理气体不暴露于等离子体地与反应生成物发生反应。