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公开(公告)号：CN113643975A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110420414.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板的处理方法和基板处理装置，能够抑制掩模图案的偏差并且改善生产率。包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R1)被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R2)被控制为R2
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