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公开(公告)号：CN102414800A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080017903.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种热处理装置(100)，具备收容晶片W的处理容器(1)、在处理容器(1)内水平地支承晶片的基板支承部(4)、和设置于处理容器(1)的上方的灯组件(3)，灯组件(3)具有：底座部件(40)；在底座部件40的下表面使前端朝向下方地设置的多个灯(45)；在底座部件(40)的下表面以同心状且向下方突出的方式设置的环状的多个反射器(41，42，43)；在反射器(41，42，43)的内部供给冷却介质的冷却头(47)，多个灯(45)的至少一部分沿着反射器(41，42，43)设置，在反射器(41，42，43)的内部形成沿着其配置方向并由环状空间形成的冷却介质流路(68)。
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公开(公告)号：CN101855719A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200980100967.4
申请日：2009-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山崎良二
IPC: H01L21/677 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67201
Abstract: 本发明提供负载锁定装置和基板冷却方法，该负载锁定装置(6、7)包括：容器(31)，其设置为能够使压力在与真空的搬送室(5)对应的压力和大气压之间变动；将容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(49)；相对地设置在容器(31)内的、通过与晶片(W)接近或接触而冷却晶片(W)的下部冷却板(32)和上部冷却板(33)；将晶片(W)搬送至下部冷却板(32)的冷却位置的晶片升降销(50)和驱动机构(53)；以及将晶片(W)搬送至上部冷却板(33)的冷却位置的晶片支承部件(60)和驱动机构(63)。
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公开(公告)号：CN101652834A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011133.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山崎良二
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , B01D53/34
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D2258/0216 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种设置在排出来自对被处理体W进行处理的处理室(10)的排放气体的排气通路(22)上，用于从排放气体捕获排气物的捕集装置，能够高效率地将被捕集元件捕获的排气物除去再生捕集元件的技术。捕集装置包括：设置在排气通路的筐体并捕获排气物的捕集元件(48)；加热捕集元件的捕集加热装置(54)；向筐体内导入冷却介质的冷却介质导入装置(60)；用于从筐体排出冷却介质的冷却介质排出部(62)；和按照以下方式进行控制的控制部，即：用于除去由捕集元件捕获的排出物，在通过捕集加热装置加热捕集元件的状态下，通过冷却介质导入装置向筐体内导入所述冷却介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652834B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880011133.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山崎良二
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , B01D53/34
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D2258/0216 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种设置在排出来自对被处理体W进行处理的处理室(10)的排放气体的排气通路(22)上，用于从排放气体捕获排气物的捕集装置，能够高效率地将被捕集元件捕获的排气物除去再生捕集元件的技术。捕集装置包括：设置在排气通路的筐体并捕获排气物的捕集元件(48)；加热捕集元件的捕集加热装置(54)；向筐体内导入冷却介质的冷却介质导入装置(60)；用于从筐体排出冷却介质的冷却介质排出部(62)；和按照以下方式进行控制的控制部，即：用于除去由捕集元件捕获的排出物，在通过捕集加热装置加热捕集元件的状态下，通过冷却介质导入装置向筐体内导入所述冷却介质。
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公开(公告)号：CN101855719B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200980100967.4
申请日：2009-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山崎良二
IPC: H01L21/677 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67201
Abstract: 本发明提供负载锁定装置和基板冷却方法，该负载锁定装置(6、7)包括：容器(31)，其设置为能够使压力在与真空的搬送室(5)对应的压力和大气压之间变动；将容器(31)内的压力调整为与搬送室(5)对应的真空和大气压的压力调整机构(49)；相对地设置在容器(31)内的、通过与晶片(W)接近或接触而冷却晶片(W)的下部冷却板(32)和上部冷却板(33)；将晶片(W)搬送至下部冷却板(32)的冷却位置的晶片升降销(50)和驱动机构(53)；以及将晶片(W)搬送至上部冷却板(33)的冷却位置的晶片支承部件(60)和驱动机构(63)。
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公开(公告)号：CN113161252B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110054765.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
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公开(公告)号：CN113161252A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110054765.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
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公开(公告)号：CN102651923A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210044596.6
申请日：2012-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
Abstract: 本发明提供一种微波照射装置，能够对被处理体照射微波，同时与此分别独立地进行被处理体的温度控制。在对被处理体(W)照射微波来进行处理的微波照射装置(2)中，具备：可以进行真空排气的处理容器(4)；支承被处理体的支承台(6)；导入处理气体的处理气体导入装置(106)；导入微波的微波导入装置(72)；加热被处理体的加热装置(16)；通过冷却气体冷却被处理体的气体冷却装置(104)；测量被处理体的温度的辐射温度计(64)；和基于辐射温度计的测量值来控制加热装置与气体冷却装置，从而调整被处理体的温度的温度控制部(70)。由此，一边对被处理体照射微波，一边与此分别独立地进行被处理体的温度控制。
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