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公开(公告)号：CN111941268A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010376534.X
申请日：2020-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B24B37/10 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。本发明能够持续进行稳定的研磨处理。
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公开(公告)号：CN111801772A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016809.4
申请日：2019-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。
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公开(公告)号：CN113165135B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980080981.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B24B7/04 , B24B47/16 , H01L21/027 , H01L21/304
Abstract: 基板处理装置包括研磨部，该研磨部具有：研磨头(75)，其对晶圆W的主表面进行研磨；旋转驱动部(82)，其使研磨头(75)绕轴线Ax1旋转；以及旋转驱动部(84)，其使轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2的圆形轨道移动。研磨头(75)的中心位置与轴线Ax1不同。与研磨头(75)的绕轴线Ax1的可动范围的直径相比，研磨头(75)的外径较小。
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公开(公告)号：CN116941015A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019521.4
申请日：2022-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种在基板的背面形成摩擦降低膜的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板，形成密闭的处理空间；加热部，其对所述处理容器内的所述基板的背面进行加热；供给部，其朝向所述处理容器内的所述基板的背面供给形成所述摩擦降低膜的材料；第1气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向所述基板的周缘部供给非活性气体；第2气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向相比于所述第1气体供给部向所述基板的供给位置靠所述基板的中心侧供给非活性气体；以及排气部，其将所述处理空间的气氛自所述处理容器内的所述基板的周围或下方排出。
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公开(公告)号：CN110021546A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811569953.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处理前在该晶片的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜成步骤(步骤S5)，其中，该降低摩擦膜用于降低晶片的背面与在曝光处理时保持晶片的背面的保持面的摩擦。
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公开(公告)号：CN111801772B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980016809.4
申请日：2019-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。
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公开(公告)号：CN108115551B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711229358.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/30 , B24B57/02 , B24B55/06 , B24B55/00 , B24B47/12 , H01L21/67 , F26B21/00
Abstract: 本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。
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公开(公告)号：CN108028177A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053566.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G03F7/162 , B05C9/14 , B05C11/08 , B05D1/36 , B05D3/00 , G01B11/02 , G01B11/022 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/027 , H01L21/0276 , H01L22/20
Abstract: 防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN106933061A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610862943.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在图案曝光时能够防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。本发明的基板处理方法对图案曝光前的基板的背面进行研磨来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为半导体晶片。并且，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。通过该表面粗化处理，在曝光时吸附该基板来载置该基板的载置台与基板的背面的接触面积减少，因此，被吸附的基板的背面能够在载置台上滑动，能够消除载置台上的基板的形变。其结果是，能够抑制基板的曝光位置从正常的位置的偏移，能够实现曝光的重叠的改善。
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