公开(公告)号：CN114649246A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111499716.7

申请日：2021-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤健弘 ,  高桥明 ,  堀内孝 ,  儿玉俊昭

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供输送基片的装置、处理基片的系统和输送基片的方法，能够调节叉形部件的倾斜。基片输送装置包括：末端执行器，其具有保持基片的叉形部件和保持叉形部件的根端部的腕部；以及臂，其能够安装末端执行器并具有使叉形部件移动的机构，在基片输送装置的保持叉形部件的根端部的腕部与臂之间具有调节叉形部件的倾斜的倾斜调节机构，该倾斜调节机构包括：用于从下表面侧支承腕部的3个支承销；使这些支承销的上端的高度位置彼此相对地变化的高度调节部；和被设置成将叉形部件向支承销一侧牵引的牵引销。

公开(公告)号：CN102163573A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110021902.X

申请日：2011-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阪上博充 ,  堀内孝 ,  藤原馨

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种支承体机构，其当支承半导体晶片等被处理体时，能够防止在其背面(下面)出现划痕和划伤等。在用来支承板状的被处理体W的支承体构造中包括：用来承受被处理体的负载的支承体主体104；在支承体主体的上面形成的多个凹部状的支承体收纳部106；和被收纳在各个支承体收纳部内、且其上端比支承体主体的上面更向上方突出，在上端邻接并支承被处理体的下面，同时能够在支承体收纳部内转动的支承体108。这样，当支承半导体晶片等被处理体时，能够防止在其背面(下面)出现划痕和划伤等。

公开(公告)号：CN102163573B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201110021902.X

申请日：2011-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阪上博充 ,  堀内孝 ,  藤原馨

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种支承体机构，其当支承半导体晶片等被处理体时，能够防止在其背面(下面)出现划痕和划伤等。在用来支承板状的被处理体W的支承体构造中包括：用来承受被处理体的负载的支承体主体104；在支承体主体的上面形成的多个凹部状的支承体收纳部106；和被收纳在各个支承体收纳部内、且其上端比支承体主体的上面更向上方突出，在上端邻接并支承被处理体的下面，同时能够在支承体收纳部内转动的支承体108。这样，当支承半导体晶片等被处理体时，能够防止在其背面(下面)出现划痕和划伤等。

公开(公告)号：CN102379035A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015119.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 多田宪伦 ,  堀内孝

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种冷却被处理体的冷却方法。该冷却方法包括：将加热状态的被处理体载置于载物台上的工序；和向包含载置于载物台上的被处理体中心的中心附近区域喷射冷却气体来冷却被处理体的工序。