基片处理装置、基片处理方法和存储介质

    公开(公告)号:CN109786285A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811338087.8

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。供给流路向处理室供给清洁气体。排气流路使从处理室排出的排出气体流到外部。循环路径使在排气流路流动的排出气体返回供给流路。排气切换阀设置于排气流路或循环路径,能够在排气流路与循环路径之间选择性地切换排出气体的流路。当处理室中使用的处理液的种类切换时,控制部控制排气切换阀,使得排出气体的流路从循环路径切换至排气流路。即使在增加晶片的处理中使用的处理液的种类增加的情况下,和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增加排气容量的情况下,也能够抑制除害装置大型化。

    液处理装置和液处理方法

    公开(公告)号:CN102078850B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201010517252.3

    申请日:2010-10-15

    Inventor: 坂本和生

    Abstract: 液处理装置、液处理方法和存储介质。本发明提供液处理装置和液处理方法,能够在一面使基板旋转一面对基板进行液处理时,抑制杯体内的排气量,同时抑制雾从杯体反弹,降低雾向基板的附着。在向晶片(W)进行抗蚀剂的排出的期间,以从流路形成部件(50)沿外侧杯体(42)的内壁面的方式排出清洗液,在外侧杯体(42)的内壁形成清洗液的液膜。从晶片(W)甩开的抗蚀剂由清洗液的液膜捕捉。捕捉了抗蚀剂的清洗液被回收到设置于外侧杯体(42)的底部的流槽部(53),再次从流路形成部件(50)向外侧杯体(42)的内壁面排出。

    基片处理装置、基片处理方法和存储介质

    公开(公告)号:CN109786285B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201811338087.8

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。供给流路向处理室供给清洁气体。排气流路使从处理室排出的排出气体流到外部。循环路径使在排气流路流动的排出气体返回供给流路。排气切换阀设置于排气流路或循环路径,能够在排气流路与循环路径之间选择性地切换排出气体的流路。当处理室中使用的处理液的种类切换时,控制部控制排气切换阀,使得排出气体的流路从循环路径切换至排气流路。即使在增加晶片的处理中使用的处理液的种类增加的情况下,和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增加排气容量的情况下,也能够抑制除害装置大型化。

    液处理装置、液处理方法和存储介质

    公开(公告)号:CN102078850A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN201010517252.3

    申请日:2010-10-15

    Inventor: 坂本和生

    Abstract: 液处理装置、液处理方法和存储介质。本发明提供液处理装置和液处理方法,能够在一面使基板旋转一面对基板进行液处理时,抑制杯体内的排气量,同时抑制雾从杯体反弹,降低雾向基板的附着。在向晶片(W)进行抗蚀剂的排出的期间,以从流路形成部件(50)沿外侧杯体(42)的内壁面的方式排出清洗液,在外侧杯体(42)的内壁形成清洗液的液膜。从晶片(W)甩开的抗蚀剂由清洗液的液膜捕捉。捕捉了抗蚀剂的清洗液被回收到设置于外侧杯体(42)的底部的流槽部(53),再次从流路形成部件(50)向外侧杯体(42)的内壁面排出。

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