公开(公告)号：CN113496915A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110264462.4

申请日：2021-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田中诚治 ,  佐野僚 ,  山田洋平

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明能在闸门开放时抑制颗粒的飞扬并能抑制残留气体向气体扩散室的侵入。基片处理方法包括：在由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部供给处理气体对基片实施处理的工序；一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边排气，将处理容器调节为开放压力的工序；一边对真空容器从第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用第2排气系统排气，将开闭装置的真空容器侧和真空容器的任一者或两者调节为开放压力的工序；在第1压力与第2压力或第3压力变得相等时，将第2气体流量改变为比第1气体流量大的第3气体流量并将第2排气系统阻隔，将开闭装置开放的工序；和将基片从处理容器移送到真空容器的工序。

公开(公告)号：CN114126177B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202110967087.X

申请日：2021-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野僚 ,  山科井作

IPC: H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种控制方法和电感耦合等离子体处理装置，能够更高精度地控制等离子体密度。该控制方法是包括多个第一天线段和多个阻抗调整部的电感耦合等离子体处理装置中的控制方法，所述多个第一天线段构成电感耦合天线，所述多个阻抗调整部分别与多个第一天线段连接，所述控制方法包括以下工序：向多个第一天线段供给高频电力来生成等离子体；参照设定有多个第一区和多个第二区的存储部，通过多个阻抗调整部分别调整多个第一区的阻抗，多个第一区与所述多个第一天线段的各第一天线段对应，所述多个第二区与所述多个第一区中的特定的第一区所对应的特定的第一天线段对应；以及通过与特定的第一天线段连接的阻抗调整部来分别调整多个第二区的阻抗。

公开(公告)号：CN114126177A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110967087.X

申请日：2021-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野僚 ,  山科井作

IPC: H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种控制方法和电感耦合等离子体处理装置，能够更高精度地控制等离子体密度。该控制方法是包括多个第一天线段和多个阻抗调整部的电感耦合等离子体处理装置中的控制方法，所述多个第一天线段构成电感耦合天线，所述多个阻抗调整部分别与多个第一天线段连接，所述控制方法包括以下工序：向多个第一天线段供给高频电力来生成等离子体；参照设定有多个第一区和多个第二区的存储部，通过多个阻抗调整部分别调整多个第一区的阻抗，多个第一区与所述多个第一天线段的各第一天线段对应，所述多个第二区与所述多个第一区中的特定的第一区所对应的特定的第一天线段对应；以及通过与特定的第一天线段连接的阻抗调整部来分别调整多个第二区的阻抗。